飛利浦擴展LFPAK封裝的功率MOSFET系列

皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產(chǎn)品系列，推出創(chuàng)新性的SOT669無損封裝（LFPAK）。新LFPAK器件針對DC/DC轉(zhuǎn)換器應用而設計，具有體積更小、效率更高、性能更加優(yōu)化等特點，可用于眾多新應用，如筆記本電腦、臺式機、服務器、高頻應用等。
飛利浦的LFPAK封裝MOSFET主要特點有接近于零的封裝電阻和主板連接低熱阻，以增強功率功能。MOSFET還具有低封裝電感，從而提高了開關(guān)速度，使飛利浦LFPAK封裝的MOSFET產(chǎn)品特別適用于企業(yè)計算等高頻應用。
小體積與卓越的熱性能使功率損失降到最低，以幫助要求盡量減小產(chǎn)品體積的制造商能夠開發(fā)體積更小、效率更高的設計，同時減少元件的數(shù)量。
亞洲的工程師正在持續(xù)地努力提高高功率密度應用中的功率性能，如筆記本電腦和DC/DC轉(zhuǎn)換器，使對功率密度要求很高的應用能夠體積更小化。亞洲是這些應用產(chǎn)品的主要生產(chǎn)地之一。飛利浦的LFPAK封裝MOSFET滿足了這些要求，不但性能比SO8封裝好，同時維持引腳不變。SOT669 LFPAK專門針對功率封裝設計，不同于專門為開關(guān)而設計的SO8封裝。
飛利浦半導體LFPAK產(chǎn)品的國際產(chǎn)品營銷經(jīng)理Jim Jordan說：“隨著設備對功率要求不斷提高，由于產(chǎn)品需要小型化，主板的空間非常有限。這就需要體積更小、效率更高的功率封裝?！?BR>“有了新的LFPAK封裝MOSFET，我們能夠滿足亞洲生產(chǎn)商對尺寸、功率管理的要求，使他們能夠開發(fā)體積更小、效率更高的產(chǎn)品，同時運行溫度比其他同類產(chǎn)品要低得多?！?BR>通過結(jié)合更大功率封裝突出的熱性能與降低了40%只有1.1mm的厚度，新推出的LFPAK封裝MOSFET具有封裝尺寸小和優(yōu)化的功率性能。在某些情況下，設計師們能夠減少應用所需的功率封裝數(shù)，從三個SO8封裝減少到兩個LFPAK。
對傳統(tǒng)的功率封裝而言，最主要的熱路徑一般是從封裝底部下行，進入印刷電路板。LFPAK還從封裝的頂部分散熱量，相對SO8來說，優(yōu)化了散熱性能，并提供更優(yōu)越的熱阻。LFPAK MOSFET的電感值比SO8的要低50%，從而加快了開關(guān)速度。LFPAK封裝MOSFET還使電源的功率轉(zhuǎn)換到應用更加有效，從而延長電池或電源的壽命。
除了提供優(yōu)化的電源性能外，飛利浦的LFPAK封裝MOSFET的熱性能使散熱特別容易，從而保持運行所需最低的溫度，這對于象筆記本電腦等應用來說是非常重要的性能，因為在這些應用中，運行溫度對整體性能非常關(guān)鍵。
供貨情況
LFPAK封裝的MOSFET目前已可接受1萬臺數(shù)量的定貨。