NORFlash與8位單片機的接口設計方法研究
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引 言
Flash存儲器又稱閃速存儲器，是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。
NORFlash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種，與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢：可靠性高、隨機讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單片機為例，針對大容量NORFlash在8位低檔單片機中應用的特殊性，詳細介紹了其接口硬件和接口軟件的設計方法。
1 SST39SF040芯片介紹
SST39SF040是SST公司最近推出的一種基于SuperFlash技術的NORFlash存儲器，屬于SST公司并行閃速存儲器系列;適用于需要程序在線寫入或大容量、非易失性數(shù)據(jù)重復存儲的場合。
1.1 芯片內(nèi)部功能結構和外部引腳
圖1是SST39SF040的內(nèi)部功能結構框圖，由Super-Flash存儲單元、行譯碼器、列譯碼器、地址緩沖與鎖存器、輸入/輸出緩沖和數(shù)據(jù)鎖存器以及控制邏輯電路等部分組成。圖2是其外部引腳分布圖，其中A18～A0為地址線，CE為芯片選通信號，OE可作為讀信號，WE為寫信號，DQ7～DQ0為數(shù)據(jù)線。
1.2 芯片的主要特性
① 容量為512KB，按512K×8位結構組織。
② 采用單一的5V電源供電，編程電源VPP在芯片內(nèi)部產(chǎn)生。
③ 芯片可反復擦寫100000次，數(shù)據(jù)保存時間為100年。
④ 工作電流典型值為10mA，待機電流典型值為30μA。
⑤ 扇區(qū)結構：扇區(qū)大小統(tǒng)一為4KB。
⑥ 讀取、擦除和字節(jié)編程時間的典型值：數(shù)據(jù)讀取時間為45～70 ns;扇區(qū)擦除時間為18ms，整片擦除時間為70ms;字節(jié)編程時間為14μs。
⑦ 有記錄內(nèi)部擦除操作和編程寫入操作完成與否的狀態(tài)標志位。
⑧ 具有硬、軟件數(shù)據(jù)保護功能。
⑨ 具有地址和數(shù)據(jù)鎖存功能。
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