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單片機系統(tǒng)低功耗設(shè)計策略

作者: 時間:2013-09-30 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
在嵌入式應(yīng)用中,系統(tǒng)的功耗越來越受到人們的重視,這一點對于需要電池供電的便攜式系統(tǒng)尤其明顯。降低系統(tǒng)功耗,延長電池的壽命,就是降低系統(tǒng)的運行成本。對于以單片機為核心的嵌入式應(yīng)用,系統(tǒng)功耗的最小化需要從軟、硬件設(shè)計兩方面入手。  
隨著越來越多的嵌入式應(yīng)用使用了實時操作系統(tǒng),如何在操作系統(tǒng)層面上降低系統(tǒng)功耗也成為一個值得關(guān)注的問題。限于篇幅,本文僅從硬件設(shè)計和應(yīng)用軟件設(shè)計兩個方面討論。
1 硬件設(shè)計  
選用具有低功耗特性的單片機可以大大降低系統(tǒng)功耗??梢詮墓╇婋妷骸纹瑱C內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計、系統(tǒng)時鐘設(shè)計和低功耗模式等幾方面考察一款單片機的低功耗特性。
1.1 選用盡量簡單的CPU內(nèi)核  
在選擇CPU內(nèi)核時切忌一味追求性能。8位機夠用,就沒有必要選用16位機,選擇的原則應(yīng)該是“夠用就好”?,F(xiàn)在單片機的運行速度越來越快,但性能的提升往往帶來功耗的增加。一個復(fù)雜的CPU集成度高、功能強,但片內(nèi)晶體管多,總漏電流大,即使進入STOP狀態(tài),漏電流也變得不可忽視;而簡單的CPU內(nèi)核不僅功耗低,成本也低。
1.2 選擇低電壓供電的系統(tǒng)  
降低單片機的供電電壓可以有效地降低其功耗。當前,單片機從與TTL兼容的5 V供電降低到3.3 V、3 V、2 V乃至1.8 V供電。供電電壓降下來,要歸功于半導(dǎo)體工藝的發(fā)展。從原來的3 μm工藝到現(xiàn)在的0.25、0.18、0.13 μm工藝, CMOS電路的門限電平閾值不斷降低。低電壓供電可以大大降低系統(tǒng)的工作電流,但是由于晶體管的尺寸不斷減小,管子的漏電流有增大的趨勢,這也是對降低功耗不利的一個方面。  目前,的電源電壓仍以5 V為主,而過去5年中,3 V供電的數(shù)量增加了1倍,2 V供電的系統(tǒng)也在不斷增加。再過五年,低電壓供電的單片機數(shù)量可能會超過5 V電壓供電的單片機。如此看來,供電電壓降低將是未來單片機發(fā)展的一個重要趨勢。
1.3 選擇帶有低功耗模式的系統(tǒng)  
低功耗模式指的是系統(tǒng)的等待和停止模式。處于這類模式下的單片機功耗將大大小于運行模式下的功耗。過去傳統(tǒng)的單片機,在運行模式下有wait和stop兩條指令,可以使單片機進入等待或停止狀態(tài),以達到省電的目的?! ?BR>等待模式下,CPU停止工作,但系統(tǒng)時鐘并不停止,單片機的外圍I/O模塊也不停止工作;系統(tǒng)功耗一般降低有限,相當于工作模式的50%~70%。  
停止模式下,系統(tǒng)時鐘也將停止,由外部事件中斷重新啟動時鐘系統(tǒng)時鐘,進而喚醒CPU繼續(xù)工作,CPU消耗電流可降到μA級。在停止模式下,CPU本身實際上已經(jīng)不消耗什么電流,要想進一步減小系統(tǒng)功耗,就要盡量將單片機的各個I/O模塊關(guān)掉。隨著I/O模塊的逐個關(guān)閉,系統(tǒng)的功耗越來越小,進入停止模式的深度也越來越深。進入深度停止模式無異于關(guān)機,這時的單片機耗電可以小于20 nA。其中特別要提示的是,片內(nèi)RAM停止供電后,RAM中存儲的數(shù)據(jù)會丟失,也就是說,喚醒CPU后要重新對系統(tǒng)作初始化。因此在讓系統(tǒng)進入深度停止狀態(tài)前,要將重要系統(tǒng)參數(shù)保存在非易失性存儲器中,如EEPROM中。深度停止模式關(guān)掉了所有的I/O,可能的喚醒方式也很有限,一般只能是復(fù)位或IRQ中斷等?! ?BR>保留的I/O模塊越多,系統(tǒng)允許的喚醒中斷源也就越多。單片機的功耗將根據(jù)保留喚醒方式的不同,降至1μA至幾十μA之間。例如,用戶可以保留外部鍵盤中斷,保留異步串行口(SCI)接收數(shù)據(jù)中斷等來喚醒CPU。保留的喚醒方式越多,系統(tǒng)耗電也就會多一些。其他可能的喚醒方式還有實時鐘喚醒、看門狗喚醒等。停機狀態(tài)較淺的情況下,外部晶振電路還是工作的。  
圖1以Freescale的單片機為例,給出不同運行模式下的系統(tǒng)功耗。是8位單片機,有多個系列,各系列I/O模塊數(shù)目有所不同,但低功耗模式下的電流消耗大致相同。 



圖1單片機各模式下的耗電  
以R系列單片機為例:在室溫(25℃)下,不包括I/O口的負載,以2 V供電,將可編程鎖相環(huán)時鐘設(shè)為16MHz(總線時鐘8 MHz),典型電流值為2.6 mA,當溫度升高到85℃時,供電電流也升高到3.6 mA;而采用3 V供電,這一組數(shù)據(jù)升高至3.8 mA和4.8 mA。用2 V供電,直接使用外部晶振2 MHz(總線時鐘1 MHz)時,典型運行電流降至450 μA。在等待狀態(tài)下,因時鐘并沒有停止,耗電情況和時鐘頻率有很大關(guān)系,節(jié)省的功耗有限;而進入輕度停止(stop3),以外部中斷喚醒,電流消耗在0. 5 μA左右。在中度停止態(tài)(stop2),功耗可進一步降低。使用內(nèi)部1 kHz的時鐘,保持1個運行的時鐘,周期性喚醒CPU,所增加的電流約為0.3 μA。在深度停止態(tài)(stop1),RAM的數(shù)據(jù)也不再保留,只能通過外部復(fù)位重啟系統(tǒng),此時的電流消耗可降到20 nA。以上數(shù)據(jù)都是在室溫下測量所得。當環(huán)境溫度升高到85℃時,電流消耗可能增加3~5倍。

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