安森美半導體推出SMART HotPlug™集成電路

安森美半導體（美國納斯達克上市代號：ONNN）推出SMART HotPlug™智能、高集成器件的新產(chǎn)品系列，簡化用于經(jīng)常開關(guān)啟動的計算機和電信系統(tǒng)的電路板熱拔插功率保護。這些強化可靠的新器件，能消除因母線干擾、過載或短路引起的高成本停機時間，適合于分布功率系統(tǒng)、高可用性服務器、磁盤陣列和熱拔插應用。
N1S5101是安森美半導體計劃今年計劃推出集成熱拔插保護電路產(chǎn)品系列的首個SMART HotPlug™器件，這個創(chuàng)新器件為提供在-48伏 (V)底板安全插入和移去電子設(shè)備而設(shè)計。
雖然市場上有一些熱拔插控制器，但N1S5101是唯一的40毫歐、110 V 低額定智能集成MOSFET。N1S5101結(jié)合了一個智能MOSFET和電流鏡，特別是SenseFET™，傳感電阻器只檢測到一部分負載電流，從而不需要更大、更昂貴的外置電源傳感電阻，同時降低了傳感功率耗散。內(nèi)置MOSFET溫度感應電路保護使其不致過熱。限流可調(diào)功能使設(shè)計者可將最高侵入電流從12安倍調(diào)到低過1安倍。欠壓和過壓閉鎖使負荷不會 “看到”潛在不安全工作電壓。此器件能在5安倍連續(xù)電流下工作，在2個銅焊墊中只有0.3安倍，且沒有額外的散熱或氣流。如有額外的銅、散熱或氣流，它可在更高的平均電流下工作。
優(yōu)良的設(shè)計
迄今，最佳的-24 V 或 -48 V分布功率系統(tǒng)熱拔插方案需用的器件多且煩瑣，包括一個功率MOSFET，一個功率傳感電阻器和一個模擬控制器。要取得有效的熱拔插方案，控制器周圍需要多至14個額外的有源和無源元件。與此相比，N1S5101只需3個外置元件就能達到完整的熱拔插保護，即3個低功率電阻器來設(shè)定限流、過壓跳閘點和欠壓跳閘點（如果不需過壓跳閘點，則只要2個電阻器和N1S5101 SMART HotPlug™器件）。
關(guān)于熱傳感，N1S5101集成溫度傳感二極管，以提供高精度的熱保護。競爭對手的器件估計MOSFET接點溫度作為熱保護，此種集成電路設(shè)計結(jié)構(gòu)可能會造成嚴重的MOSFET失效或過早出現(xiàn)過電流電路跳閘情況。
安森美半導體副總裁兼集成電源器件部總經(jīng)理Ramesh Ramchandani 說：“N1S5101是業(yè)界首個這樣小巧可靠又能使設(shè)計如此簡易的熱拔插器件。與外面最具競爭力的方案相比，安森美半導體的SMART HotPlug™器件節(jié)省設(shè)計熱拔插電路一半時間，減少75%所需的外部元件，便達到完整有效的熱拔插方案?！?BR>供貨情況
N1S5101有不鎖存或自動重試熱選擇，現(xiàn)有D2Pak和7引腳SPak封裝。
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