從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-1
在下面的兩個(gè)帖子當(dāng)中,我將簡短地介紹構(gòu)成CPU的零件,一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設(shè)計(jì),這相當(dāng)于IC設(shè)計(jì)中的Hello world,并且略微提到Hello world的幾種變體。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/221712.htm為了防止下面的內(nèi)容顯得突兀,再鋪墊一點(diǎn)最最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體知識。
硅是地殼中含量第二大的元素。
湊巧的是,它處于金屬、非金屬分界線上。這也就是說,它的導(dǎo)電能力介于純粹的導(dǎo)體和純粹的絕緣體之間。
最純凈的單晶硅(純度超過99.9999%)略微導(dǎo)電,導(dǎo)電性主要受溫度控制。這就是本征半導(dǎo)體。
硅有4個(gè)價(jià)電子。這就意味著,如果我們摻入3價(jià)元素,例如硼,就會有一個(gè)空穴;如果我們摻入5價(jià)元素,比如磷,就會多出一個(gè)價(jià)電子。也就是說,我們可以造出P型和N型半導(dǎo)體。其中P=positive,N=negative,說的是其中自由移動的帶電粒子的電荷性。更加湊巧的是,摻雜的濃度可以控制其中帶電粒子的濃度(溫度的影響相對雜質(zhì)而言較小),進(jìn)而控制其電導(dǎo)率。
將P性和N性的材料接觸便會形成PN結(jié)。我在此不會涉及PN結(jié)的詳細(xì)解釋,那需要用到能帶理論。僅僅知道PN結(jié)在P->N的足夠大的外電場(>0.7V典型值)下可以認(rèn)為短路,在N->P的外電場下可以認(rèn)為斷路就足夠了。
現(xiàn)在我們有了可以自由控制硅片上某一區(qū)域?qū)щ娦缘姆椒ǎ€知道了怎樣制造一個(gè)最簡單的電流的單向閥——PN結(jié)。這兩個(gè)事實(shí)是一切半導(dǎo)體IC的基石。
現(xiàn)在我們請出我們的磚瓦:為了給它一個(gè)隆重的登場,我另起一行,它就是:
金屬——氧化物——半導(dǎo)體 場效應(yīng) 晶體管
Metal - Oxide - Semiconductor Field-Effect Transistor
肯定有不少人見到它的昵稱——MOSFET,或者干脆簡稱MOS管。
下面發(fā)一張MOS管的靚照:
再來一張生理結(jié)構(gòu)圖
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