LED封裝中熒光粉的選擇與解決方案

　　圖11為Sr2Si5N8:Eu2+的激發(fā)光譜(a)和發(fā)射光譜(b)。激發(fā)光譜覆蓋350～500nm的范圍，因而可作為紫外LED、近紫外LED和藍(lán)光LED芯片用熒光粉。發(fā)射峰為中心位于619nm的寬帶發(fā)射，歸屬于Eu2+的4f65d1-4f7躍遷。Sr2Si5N8:Eu2+是目前主流的氮化物紅粉之一，可與黃粉配合封裝高亮度白光LED。

　　圖12為Sr2Si5N8:Eu2+在不同溫度下的發(fā)光強度的變化。從圖中可以看出，溫度為100℃時，發(fā)射峰強度下降至常溫下的95%。至300℃時，其發(fā)光強度可達(dá)到常溫下的64%。由此可見，其熱穩(wěn)定性優(yōu)異。

　　圖13為CaAlSiN3的晶體結(jié)構(gòu)圖(斜方晶系)空間群Cmc21[7]。晶胞中只存在一個位置的Ca，占據(jù)4a格位。Al和Si原子則隨機占據(jù)晶格中的8b格位。

　　圖14為CaAlSiN3:Eu2+的激發(fā)光譜(a)和發(fā)射光譜(b)。激發(fā)光譜覆蓋350nm～500nm的范圍，因而可作為紫外LED、近紫外LED和藍(lán)光LED芯片用熒光粉。發(fā)射峰為中心位于660nm的寬帶發(fā)射，歸屬于Eu2+的4f65d1-4f7躍遷。CaAlSiN3:Eu2+是目前主流的氮化物紅粉，可與黃粉配合封裝高顯色指數(shù)白光LED。由于其合成需要使用高溫高壓燒結(jié)設(shè)備，因此，其價格較為昂貴。

　　圖15是SrSi2O2N2的晶體結(jié)構(gòu)圖(三斜晶系)空間群P1[8]。SiON3形成共角四面體層狀結(jié)構(gòu)，堿土金屬Sr則夾在SiON3四面體層之間。

　　圖16為SrSi2O2N2:Eu2+的激發(fā)光譜和發(fā)射光譜。其激發(fā)光譜包含5個中心分別位于262、311、365、412和456nm激發(fā)峰。發(fā)射峰位于544nm處，半峰寬為83nm[3]。

　　最早的氮化物熒光粉專利是德國歐司朗于1999年11月30日申請的歐洲專