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新型垂直結構氮化鎵基半導體LED生產(chǎn)工藝

作者: 時間:2011-09-05 來源:網(wǎng)絡 收藏
  • 功率半導體發(fā)光二極管具有取代白熾燈的巨大前途,但是,首先要解決技術上的問題。半導體發(fā)光二極管的幾何結構包括兩類:橫向結構和。以藍寶石為生長襯底的橫向結構的大功率的主要問題包括散熱效率低,電流擁塞,電流密度低,和生產(chǎn)成本高。為解決橫向結構的大功率的散熱問題,倒裝焊技術被提出。但是,倒裝焊技術工藝復雜,生產(chǎn)成本高,以碳化硅晶片為原始生長襯底的傳統(tǒng)的的兩個電極分別在生長襯底的兩側,具備優(yōu)良的散熱效率,電流分布均勻,電流擁塞改善,電流密度增大,充分利用發(fā)光層的材料等優(yōu)點。但是,碳化硅晶片成本極高。以藍寶石為原始生長襯底的傳統(tǒng)的的氮化鎵基半導體發(fā)光二極管的兩個電極分別在支持襯底的兩側,該發(fā)光二極管具備散熱效率高,電流分布均勻,電流擁塞改善,電流密度增大充分利用發(fā)光層的材料,光取出效率提高等優(yōu)點。藍寶石是電絕緣材料,因此需要剝離生長襯底。但是,剝離技術尚不成熟,有待進一步完善。
    因此,需要垂直結構的氮化鎵基半導體發(fā)光二極管及其低成本的批量生產(chǎn)的工藝方法,同時避免上面提到的缺點。

    垂直結構的氮化鎵基半導體發(fā)光二極管的第一電極和第二電極分別層疊在氮化鎵基外延層的兩側,因此具有傳統(tǒng)的垂直結構的氮化鎵基半導體發(fā)光二極管的優(yōu)點。

    垂直結構的氮化鎵基半導體發(fā)光二極管的第一電極和第二電極層疊在生長襯底的同一側,因此,不需要剝離生長襯底。

    新型垂直結構的氮化鎵基半導體發(fā)光二極管的低成本的批量生產(chǎn)的主要工藝步驟如下:在生長襯底上,層疊中間媒介層,生長氮化鎵基外延層,在氮化鎵基外延層上層疊具有優(yōu)化圖形的第二電極,在預定區(qū)域蝕刻氮化鎵基外延層知道中間媒介層中的金屬層暴露,在暴露的金屬層上層疊第一電極。所述的工藝方法既不需要鍵合支持襯底到氮化鎵基外延層,也不需要剝離生長襯底等工藝過程。

    生長新型垂直結構的大功率氮化鎵基半導體發(fā)光二極管的技術和生產(chǎn)方法可以應用于生長其他半導體發(fā)光二極管。



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