硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

　?、?族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器，紫外光探測(cè)器，以及高功率高頻電子器件。然而由于缺乏合適的襯底，目前高質(zhì)量的GaN膜通常都生長(zhǎng)在藍(lán)寶石或SiC襯底上，但是這兩種襯底部都比較昂貴，尤其是碳化硅，而且尺寸都比較小。藍(lán)寶石還有硬度極高和不導(dǎo)電的缺點(diǎn)。為克服上述缺點(diǎn)，人們?cè)谟霉枳饕r底生長(zhǎng)GaN方面一直不斷地進(jìn)行探索。由于GaN材料的電熒光對(duì)晶體缺陷并不敏感，因此人們預(yù)期在Si襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)Ⅲ族氮化物發(fā)光器件在降低成本方面具有明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。

　　人們還期待使用Si襯底今后還有可能將光發(fā)射器與硅電子學(xué)集成起來(lái)，將加速和擴(kuò)大氮化鎵在光電子和微電子方面的應(yīng)用。

　　一、用硅作GaN LED襯底的優(yōu)缺點(diǎn)

用硅作GaN發(fā)光二極管（LED）襯底的優(yōu)點(diǎn)主要在于LED的制造成本將大大降低。這是不僅因?yàn)镾i襯底本身的價(jià)格比目前使用的藍(lán)寶石和SiC襯底便宜很多，而且可以使用比藍(lán)寶石和SiC襯底的尺寸更大的襯底（例如使用4英寸的Si片襯底）以提高MOCVD的利用率，從而提高管芯產(chǎn)率。Si和SiC襯底一樣，也是導(dǎo)電襯底，電極可以從管芯的兩側(cè)引出，而不必象不導(dǎo)電的藍(lán)寶石那樣必須都從一側(cè)引出，這樣不但可以減少管芯面積還可以省去對(duì)GaN外延層的干法腐蝕步驟。同時(shí)由于硅的硬度比藍(lán)寶石和SiC低，因此使用LSI加工中使用的通用切割設(shè)備就可以切出LED芯片，節(jié)省了管芯生產(chǎn)成本。此外，由于目前 CaAs工業(yè)正從4英寸過(guò)渡到6英寸，淘汰下來(lái)的4英寸工藝線(xiàn)，正好可以用在硅襯底的GaNLED生產(chǎn)上。據(jù)日本Sanken電氣公司的估計(jì)使用硅襯底制作藍(lán)光GaNLED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和SiC襯底低90%，預(yù)期在需要低功率發(fā)射器方面將獲得應(yīng)用。

　　然而與藍(lán)寶石和SiC相比，在Si襯底上生長(zhǎng)GaN更為困難。因?yàn)檫@兩者之間的熱失配和晶格失配更大。硅與GaN的熱膨脹系數(shù)差別將導(dǎo)致GaN膜出現(xiàn)龜裂，晶格常數(shù)差會(huì)在 GaN外延層中造成高的位錯(cuò)密度。GaNLED還可以因?yàn)镾i與GaN之間有0.5V的異質(zhì)勢(shì)壘而使開(kāi)啟電壓升高以及晶體完整性差造成P-型摻雜效率低，導(dǎo)致串聯(lián)電阻增大。使用Si襯底的另一不利之處是，硅吸收可見(jiàn)光會(huì)降低LED的外量子效率。盡管如此自1998年以來(lái)在硅上氮化鎵LED方面已經(jīng)取得了不少令人興奮的結(jié)果。

　　二、緩沖層技術(shù)

　　為了在Si上制造出性能好的GaN LED，首先要解決的是如何在Si上生長(zhǎng)出高質(zhì)量的無(wú)龜裂的GaN外延層。現(xiàn)在主要的生長(zhǎng)方法是MOCVD或MBE。無(wú)論采用那種生長(zhǎng)方法在Si上生長(zhǎng)GaN外延層，均需要使用緩沖層技術(shù)。已經(jīng)報(bào)道了多種緩沖層技術(shù)。其中包括：AIN，3C-SiC（淀積的或轉(zhuǎn)化的SiC膜），GaAs，AlAs，ZnO，LiGaO2，g-Al2O3和Si3N4，或復(fù)合緩沖層；如AlN/3C-SiC，AlN/GaN/AlN等等。AlN緩沖層是目前較為普遍使用的緩沖層技術(shù)之一。Liaw等人報(bào)道了采用轉(zhuǎn)化的 SiC膜加氮化鋁復(fù)合緩沖層（AlN/3C-SiC）技術(shù)已經(jīng)可以在4英寸的Si(111)襯底上生長(zhǎng)出1.5mm厚的無(wú)龜裂的GaN的外延層。

　　日本三墾（Sanken）電氣公司與名古屋工業(yè)大學(xué)聯(lián)合開(kāi)發(fā)出用AlN/GaN緩沖層緩解因熱膨脹系數(shù)不同而產(chǎn)生的熱應(yīng)力，進(jìn)而控制了龜裂的發(fā)生。值得指出的是三墾電氣在生長(zhǎng)緩沖層前，首先對(duì)硅襯底進(jìn)行處理，使硅表面上覆以氫（H），這樣就得到了不含氧（O）的、適于"低溫緩沖層"生長(zhǎng)所需要的清潔平坦的硅表面，并且使發(fā)光層內(nèi)的晶體缺陷密度減少到109個(gè)/cm2。

　　為了降低外延層中的位錯(cuò)密度，選擇外延生長(zhǎng)工藝也被應(yīng)用到在Si生長(zhǎng)GaN中來(lái)，包括橫向選擇外延和懸重外延生長(zhǎng)（PENDEOPITAXY）。

　　三、LED器件

　　1998 年Guha等人最早采用MBE方法生長(zhǎng)了UV和紫光GaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)（DH）LED。襯底是摻砷的晶向?yàn)椋?11）低阻n型Si。緩沖層為 AlN。DH-LED結(jié)構(gòu)為：Si（111）/8nm AlN/n-AlGaN：Si/6nm GaN/p-AlxGa1-xN：Mg/15nm p-GaN。他們發(fā)現(xiàn)襯底與外延層之間的晶向關(guān)系為：Si（111）/GaN（0001）和Si＜011＞//GaN＜21-10＞。TEM觀(guān)測(cè)表明 8nm AlN已經(jīng)在Si上形成了厚度均勻的連續(xù)薄膜，估計(jì)其穿透位錯(cuò)密度高達(dá)5×1010cm-2。在P側(cè)使用Ni/Au電極；n電極則從Si襯底面引出。對(duì)于 300×300mm的管芯，在4.5-6.5V正向電壓下開(kāi)始發(fā)光。他們認(rèn)為較高的工作電壓是因?yàn)镸BE生長(zhǎng)的p型摻雜濃度低以及p接觸不良所致，而不是由于A(yíng)lN的絕緣特性造成的。絕緣的AlN中的大量位錯(cuò)可能起了短路電流通道的作用，使載流子從Si側(cè)"漏"過(guò)去注入到GaN中。發(fā)光波長(zhǎng)為360nm （摻Si-GaN有源層）和來(lái)自深能級(jí)的420nm峰（未摻錄像機(jī)GaN有源層）。

　　近期的工作大部分都采用InGaN/GaN多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)方法包括MOCVD和MBE以及兩者的結(jié)合，主要采用MOCVD。發(fā)射波長(zhǎng)已擴(kuò)展到藍(lán)、綠光。Yang等人先用MBE方法在（111）n+Si襯底上生長(zhǎng)AlN緩沖層，然后轉(zhuǎn)移到MOCVD反應(yīng)室中生長(zhǎng)0.2mm厚摻硅n+GaN。接著在Si/（AlN/GaN）上淀積 0.2mm厚SiQ2層，用光刻法開(kāi)出300×300μm的選擇外延生長(zhǎng)的窗口。然后，再將樣品放入MOCVD反應(yīng)室中連續(xù)生長(zhǎng)0.5nm-GaN： Si，InGaN/GaN MQW和15nm的p-GaN。在選擇外延生長(zhǎng)的MQW-LED結(jié)構(gòu)上面采用Pd/Au形成透明電極。n極（Ti/Al/Ti/Au）則從Si襯底面引出。

器件的發(fā)光波長(zhǎng)為465nm，半高寬為40nm，與MQW的室溫PL譜一致。正向開(kāi)啟電壓為+3.2V，估計(jì)包括來(lái)自Si/（AlN/GaN）異質(zhì)結(jié)勢(shì)壘的0.5V貢獻(xiàn)。正向微分電阻是250Ω左右，比他們?cè)谒{(lán)寶石上的LED大約大4倍。p型摻雜濃度低，p接觸不良以及AlN/Si界面微分電阻和來(lái)自 SiO2的Si反向摻雜可能是電阻增加的原因。Dalmasso等報(bào)道了首次用MOCVD方法在（111）Si上生長(zhǎng)的綠光（508nm）的LED。其結(jié)構(gòu)為0.5μm-GaN/0.1μmGaN/InGaN/20nmGaN/7nmp-Al0.15Ga0.85N/0.2μmp-GaN。其輸出功率當(dāng)為 20mA時(shí)是6mW。

　　德國(guó)Magdeburg大學(xué)的Armin Dadgar在研制LED時(shí)，為了解決龜裂問(wèn)題采用了兩種方法：

　　1、在圖形襯底上生長(zhǎng)臺(tái)面結(jié)構(gòu)，接著生長(zhǎng)AlGaN/GaN超晶格以控制龜裂的形成和/或位置。對(duì)臺(tái)面結(jié)構(gòu)的LED來(lái)說(shuō)，先在Si（111）上腐蝕出槽，接著淀積AlN緩沖層、15個(gè)周期的AlGaN/GaN超昌格和摻Si-GaN層。有源區(qū)為3個(gè)周期的InGaN/GaN量子阱，其上為p-AlGaN和p-GaN層。

2、在平面襯底上，淀積AlN緩沖層和n-GaN層后，使用低溫AlN應(yīng)力襯償層加上氮化硅薄掩膜層。其上再生長(zhǎng)n-GaN、3個(gè)周期的InGaN/GaN量子阱有源區(qū)和p-AlGaN和p-GaN層。這兩種方法制備的LED在20mA正向電流下都可以輸出150mW的藍(lán)光，這些結(jié)果對(duì)于Si襯底來(lái)說(shuō)是令人鼓舞的。雖然比在藍(lán)寶石和碳化硅襯底上制造的商品LED 低，但已經(jīng)可以滿(mǎn)足一些低功率應(yīng)用要求。預(yù)期隨著生長(zhǎng)條件和器件個(gè)各層的優(yōu)化，亮度還會(huì)提高，然而更大的挑戰(zhàn)是進(jìn)一步解決Si襯底對(duì)光的吸收問(wèn)題。

日本三墾電氣公司與名古屋工業(yè)大學(xué)聯(lián)合開(kāi)發(fā)的藍(lán)色及綠色GaNLED，雖然現(xiàn)在還處于試制階段，其光輸出功率已經(jīng)達(dá)到了手機(jī)背照燈等使用的高亮度量產(chǎn)品的 1/5。也就是說(shuō)已經(jīng)獲得了手機(jī)來(lái)電提示等用途所使用的通用LED同樣的光輸出功率，在通信和顯示用的低功率光發(fā)射器方面的應(yīng)用引人關(guān)注。今后，通過(guò)對(duì)發(fā)光層的改進(jìn)，量子效率還可以提高到目前的2倍左右。隨著技術(shù)的改進(jìn)，可望將開(kāi)啟電壓從現(xiàn)在的+4.1V降到+3.5V，并增加功率效率。

四、結(jié)語(yǔ)

與目前使用的藍(lán)寶石襯底和SiC襯底的GaN二極管（LED）相比，使用硅襯底后GaN LED的制造有成本將大大降低。盡管現(xiàn)在還處于試制階段，并且在硅上生長(zhǎng)GaN難度高，硅還有吸收可見(jiàn)光的缺點(diǎn)，但是Si上生長(zhǎng)的GaN LED在低功率應(yīng)用方面的動(dòng)向已經(jīng)引起人們關(guān)注。實(shí)際上，Si上生長(zhǎng)GaN提供了一個(gè)更廣泛的技術(shù)平臺(tái)，由于硅的高導(dǎo)電和導(dǎo)熱特性，除了在光電器件方面的應(yīng)用外，在微波和功率電子器件方面也有廣闊的應(yīng)用前景，而且提供將光發(fā)射器與硅電子學(xué)集成起來(lái)的可能性。