科普混合動力車中大功率元件的五大要素

　　盡管內(nèi)燃機驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流馬達獲取車載系統(tǒng)的電氣需求，但由于混合動力電動汽車採用了幾個系統(tǒng)，它們需要更高的功率等級。對于輕混、全混、插電式混合動力汽車或純電動汽車而言，耗能最多的組件是馬達驅(qū)動裝置。該裝置需要在沒有內(nèi)燃機支援的情況下，至少在一定時間內(nèi)有效驅(qū)使車輛行進。為在不損失阻性連接通道上大部份電能條件下，為數(shù)十千瓦至上百千瓦的大功率馬達供電，大電流路徑需要實現(xiàn)更高的電壓（範圍為600V至1，200V）。但即使在如此之高的電壓條件下，所需的電流水平也不過為幾百安培。

　　高壓電網(wǎng)的導(dǎo)入，使汽車產(chǎn)業(yè)開始採用兩個全新的功率密集型產(chǎn)品：將直流轉(zhuǎn)換成交流以驅(qū)動馬達的DC-AC轉(zhuǎn)換器，以及在高壓電網(wǎng)和12V電網(wǎng)之間實現(xiàn)電能交換的DC-DC轉(zhuǎn)換器?；旌蟿恿ζ嚾匀恍枰?2V電網(wǎng)，因為多數(shù)標準汽車電子系統(tǒng)都採用12V電源。

　　如前所述，換流器和轉(zhuǎn)換器需要管理幾千瓦的功率，因此需要配備最佳化半導(dǎo)體元件和高級封裝的十分復(fù)雜的高效電子裝置。因此，這種半導(dǎo)體平臺要滿足這些全新高功率電子系統(tǒng)的要求需具備下述性能：

　　1） 在各種應(yīng)用中具備更高能效；

　　2） 更高的載流能力，在600V至1，200V典型電壓條件下，載流能力為100A至300A；

　　3） 更出色的機械和電氣性能，確保能夠經(jīng)受惡劣的汽車環(huán)境，同時滿足防失效設(shè)計所有安全和保護要求；

　　4） 更低的電磁干擾和寄生電感，由于開關(guān)大電流和高壓會產(chǎn)生極強的電磁場，包括傳導(dǎo)或傳遞噪音/電磁干擾、過壓尖峰和對汽車感應(yīng)電子裝置造成影響的其他干擾等。

　　下文詳細探討圖1所示的可解決上述問題的5個主要平臺元素：

　　圖1：滿足混合動力電動汽車的功率管理需求的五大‘必備要素’。

　　1. 高效的高壓IGBT：在電壓範圍為600V至1，200V條件下，要想高效地開關(guān)幾百安培的大電流，需要採用這種類型的功率開關(guān)。相對于MOSFET而言，溝槽型IGBT在這些高壓條件下能效更高。這些元件在極高的電流密度條件下，具備極低的導(dǎo)通電阻。如果採用標準接腳鍵合封裝，其性能將會大幅受到這種傳統(tǒng)裝配技術(shù)的限制。因此IR公司專利的可焊正面金屬製程，使IGBT能夠被焊接在兩側(cè)，因而徹底避免在換流器或轉(zhuǎn)換器模組中使用接腳鍵合。該解決方案可解決上文所述的兩個以上的問題：由于避免了‘鍵合接腳脫落’這種典型的故障模式，無接腳鍵合裝配的可靠性和穩(wěn)健性大幅提高。潛在的故障機制是焊劑磨損殆盡，但這需要很長的時間和很高的應(yīng)力。採用這種技術(shù)的模組廠商可使用更小的元件──相對于接腳鍵合裝配解決方案，可在更高溫度條件下執(zhí)行，并能夠承受更寬的溫度變化。圖2顯示的是高級無接腳鍵合裝配的應(yīng)力測試典型結(jié)果。

　　圖2：採用基于專利陶瓷的定製封裝的接腳鍵合IGBT，與無接腳鍵合雙面焊接IGBT的功率循環(huán)的比較。左圖和右圖顯示不同的溫度應(yīng)力剖面，每個豎條代表一種被測元件。

　　除提高穩(wěn)健性外，採用前面可焊金屬的元件還能改善其他問題，包括寄生電感、產(chǎn)生噪音的振鈴以及大電流開關(guān)帶來的電磁干擾等。透過實現(xiàn)雙面焊接連接，感應(yīng)率被降至最低或者完全消失。事實證明，IR公司的無接腳鍵合元件相對于任何標準的接腳鍵合或塑料封裝元件，具備更出色的開關(guān)性能。例如，圖3為IR公司的專利DirectFET封裝與接腳鍵合塑料封裝元件的快速開關(guān)性能比較。

　　圖3：IR公司的專有無接腳鍵合DirectFET封裝，可降低寄生電感和振鈴，明確具備更出色的電磁干擾性能。

　　2. 先進的封裝是高效電源管理平臺的另一個重要的因素。如上文所述，IR公司針對汽車產(chǎn)業(yè)推出了十分先進的封裝技術(shù)。將結(jié)實耐用的前面金屬層置于我們的硅開關(guān)（MOSFET、IGBT）上，使我們能夠?qū)o接腳鍵合的晶片級功率封裝應(yīng)用于所有功率開關(guān)。直接封裝（Direct-Packages）具備出色的開關(guān)性能、基本為零的寄生電感、更強的機械可靠性和強韌性──塬因是避免了接腳鍵合，還能實現(xiàn)晶片雙面散熱。如果一面有接腳鍵合是無法實現(xiàn)雙面散熱的。這些封裝解決了上文所述的主要問題，使客戶能夠設(shè)計出創(chuàng)新的控制裝置和電源模組。

　　3. 快速開關(guān)元件也是混合動力電動汽車應(yīng)用一個十分重要的需求。儘管馬達驅(qū)動變頻器的典型開關(guān)頻率為6kHz至10kHz，但DC-DC轉(zhuǎn)換器或其他電池充電裝置通常具備更高的頻率範圍（100kHz至200kHz），以提高降壓/升壓轉(zhuǎn)換器效率，并縮小這些系統(tǒng)中的被動組件（電感器/電容器）的尺寸。不幸的是，基于其雙極元件實體特徵，IGBT可在10KHz開關(guān)頻率下達到最理想的性能，但在100kHz以上的高頻條件下，需採用特殊的MOSFET、CoolMOS或超結(jié)（Super Junction）元件。不過，這些元件都有缺點，例如極高的成本和有限的穩(wěn)健性等。IR公司的汽車產(chǎn)品組合，提供了以更低的成本和出色的開關(guān)性能解決這些問題的替代解決方案。IR公司的汽車用DirectFET，設(shè)立了電壓高達250V的快速開關(guān)性能的標桿。更高電壓的快速開關(guān)產(chǎn)品，需要採用IR公司的專有WARP speed IGBT。相較典型的高壓超結(jié)元件而言，WARP speed IGBT可以更出色的性價比實現(xiàn)更高的開關(guān)頻率。新一代汽車WARP speed IGBT可滿足100kHz以上的開關(guān)頻率要求，因此是混合動力電動汽車的大功率DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想解決方案。

　　4. 具備高抗雪崩能力的MOSFET，是混合動力電動汽車半導(dǎo)體平臺的另一個重要元件。硬開關(guān)產(chǎn)品常常需要MOSFET透過進入雪崩模式實現(xiàn)重復(fù)開關(guān)。在雪崩模式下，電壓基本上會超過擊穿電壓，高度加速的載流子在擊穿電壓水平下，會涌入MOSFET的PN結(jié)區(qū)。這些高度加速的‘熱載流子’通常會逐漸損壞閘極氧化層。經(jīng)過一段時間或重復(fù)多次出現(xiàn)雪崩事件后，MOSFET會出現(xiàn)不可逆轉(zhuǎn)的損傷。閾值電壓漂移，漏電流逐漸增大，或者有時閘極氧化層斷裂。IR公司的專利MOSFET尤其穩(wěn)健耐用，可實現(xiàn)可靠的重復(fù)雪崩開關(guān)。事實證明，這些元件應(yīng)用于馬達驅(qū)動等電感負載的硬開關(guān)產(chǎn)品時，穩(wěn)健性。結(jié)合無接腳鍵合Direct封裝，這些元件可設(shè)立開關(guān)性能標桿，同時確保出眾的硅晶片穩(wěn)健性。

　　5.驅(qū)動功率元件的穩(wěn)健耐用、功能強大的控制IC。為幫助系統(tǒng)設(shè)計人員利用所需的控制IC完成整個功率級開發(fā)任務(wù)，IR公司推出了陣容強大的汽車用驅(qū)動IC產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組