開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器高性能碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體器件
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碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬，工作溫度高（可達(dá)600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、DNI結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導(dǎo)體開關(guān)器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。
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碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點(diǎn)是禁帶寬，工作溫度高（可達(dá)600℃）、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、DNI結(jié)耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率的半導(dǎo)體開關(guān)器件，如SiC功率MOSFET和SiC IGBT等。
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