蜂窩趨勢(shì)引領(lǐng)工藝技術(shù)發(fā)展方向

　　圖3：這些接收器均采用15-x-22mm LGA封裝，支持定向轉(zhuǎn)換或中頻采樣設(shè)計(jì)，可為3G/4G蜂窩基站接收器提供架構(gòu)性技術(shù)選擇

　　RFMD公司還專門針對(duì)智能手機(jī)和平板電腦推出了許多基于SOI的開(kāi)關(guān)產(chǎn)品。由于這些移動(dòng)設(shè)備中多種射頻標(biāo)準(zhǔn)（GSM/WCDMA/LTE/WiFi/藍(lán)牙）要求共存，因此這些開(kāi)關(guān)產(chǎn)品承諾提供領(lǐng)先的開(kāi)關(guān)線性度和諧波性能。RFMD公司的這一SOI開(kāi)關(guān)產(chǎn)品組合包括RF1603A（SP3T）、RF1604（SP4T）和RF1291（SP10T）天線開(kāi)關(guān)模塊。

　　Skyworks公司提供的一系列表貼功放模塊僅憑單個(gè)封裝就能提供完整的寬帶碼分多址（WCDMA）覆蓋，頻率分別覆蓋1920MHz至1980MHz（SKY77701）、850MHz至1910MHz（SKY77702）、1710MHz至1785MHz（SKY77703）、824MHz至849MHz（SKY77704）和880MHz至915MHz（SKY77705）。這些器件可以滿足高速下行鏈路數(shù)據(jù)包訪問(wèn)（HSDPA）、高速上行數(shù)據(jù)包訪問(wèn)（HSUPA）和長(zhǎng)期演進(jìn)（LTE）數(shù)據(jù)傳輸?shù)膰?yán)格頻譜線性要求，并具有較高的功率附加效率（PAE）。這些模塊中還集成了定向耦合器，無(wú)需再使用任何外部耦合器。臺(tái)灣HTC公司推出的包括EVO、Desire HD和Z在內(nèi)的系列智能手機(jī)中就已經(jīng)采用了這些功放。

　　顯然，工藝技術(shù)為了滿足無(wú)線和其它應(yīng)用需求而推進(jìn)發(fā)展的速度是相當(dāng)令人驚嘆的。雖然集成技術(shù)在更多的時(shí)候是首選，但分立技術(shù)在智能手機(jī)之外的應(yīng)用中仍有龐大需求。正如RFMD公司的Johnson和Gillenwater總結(jié)的那樣，“目前無(wú)線應(yīng)用使用許多種工藝技術(shù)，如GaAs HBT、pHEMT、BiFET、SiGe、SOI和CMOS等。在性能方面要求最嚴(yán)格的應(yīng)用將繼續(xù)使用化合物半導(dǎo)體。在性能要求不是太高的場(chǎng)合，可以使用硅（Si）。隨著GaAs解決方案的成本持續(xù)走低（裸片縮小，更大批量），沒(méi)有更好的理由要去改變技術(shù)。

　　“今后幾年值得期待的、令人感興趣的新技術(shù)無(wú)疑是BiFET和SOI?！彼麄兝^續(xù)指出?！癝OI對(duì)無(wú)線應(yīng)用來(lái)說(shuō)是一種相對(duì)新的Si技術(shù)，具有一些令人感興趣的射頻特性，因此是低功耗射頻電路和開(kāi)關(guān)的理想解決方案。GaAs BiFET將HBT和pHEMT整合為一種技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)更高集成度而不犧牲性能，同時(shí)還能降低成本。LNA、中等功率射頻開(kāi)關(guān)、HBT功放和低密度模塊控制電路可以集成在單塊GaAs基板上。”當(dāng)然，有關(guān)哪種工藝技術(shù)能夠最好地服務(wù)哪種應(yīng)用的爭(zhēng)論仍將繼續(xù)下去。