UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用
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隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來愈簡潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321就是一種外圍電路簡單，高效，快速的驅(qū)動(dòng)芯片。
2 UCC27321的功能和特點(diǎn)
TI公司推出的新的MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片能輸出9A的峰值電流，能夠快速地驅(qū)動(dòng)MOSFET開關(guān)管，在10nF的負(fù)載下，其上升時(shí)間和下降時(shí)間的典型值僅為20ns。工作電源為4—15V。工作溫度范圍為-40℃—105℃。圖1給出了芯片的內(nèi)部原理圖，表1為輸入、輸出邏輯表。表2為各個(gè)引腳的功能介紹。
UCC27321的ENBL是給設(shè)計(jì)者預(yù)留的引腳端，為高電平有效（見表1）。在標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用中，ENBL端經(jīng)100K的上拉電阻接至高電平。一般正常工作時(shí)可以懸空。為求可靠，也可將其接至輸入電源高電平，低電平時(shí)芯片不工作。通過對(duì)ENBL的精心設(shè)置可以設(shè)計(jì)出可靠的保護(hù)電路。
UCC27321的輸出端采用了獨(dú)特的雙極性晶體管圖騰柱和雙MOSFET圖騰柱的并聯(lián)結(jié)構(gòu)，能在幾百納秒的時(shí)間內(nèi)提供高達(dá)9A的峰值電流并使得有效電流源能在低電壓下正常工作。
當(dāng)輸出電壓小于雙極性晶體管的飽和壓降時(shí)，其輸出阻抗為MOSFET的Ron。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓過低或過沖時(shí)，輸出級(jí)MOSFET的體二極管提供了一個(gè)小的阻抗。這就使得在絕大多數(shù)情況下，無須在輸出腳6、7與地之間額外地增加一個(gè)肖特基二極管。
UCC27321在MOSFET的彌勒高原效應(yīng)轉(zhuǎn)換期間能獲得9A的峰值電流。UCC27321內(nèi)部獨(dú)特的輸出結(jié)構(gòu)使得放電能力比充電能力要強(qiáng)的多。充電時(shí)電流流經(jīng)P溝道MOS，放電時(shí)電流流經(jīng)N溝道MOS，這就使得這種芯片的驅(qū)動(dòng)關(guān)斷能力要比其導(dǎo)通能力強(qiáng)，對(duì)防止MOSFET的誤導(dǎo)通是很有利的。
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