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UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

作者: 時(shí)間:2012-03-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
5 應(yīng)用實(shí)例

  圖4給出了應(yīng)用于推挽正激的驅(qū)動(dòng)電路:

  
 ?。╝)為運(yùn)用UCC27321的光耦隔離驅(qū)動(dòng)。由于上管和下管不共地,為了實(shí)現(xiàn)電氣上的隔離,在UC3525的輸出與UCC27321的輸入之間增加了快速光耦隔離芯片HCPL4504。采用光耦隔離,使得外圍電路簡(jiǎn)單,設(shè)計(jì)較容易,但需兩路激勵(lì)電源。

 ?。╞)為傳統(tǒng)推挽變壓器隔離驅(qū)動(dòng),由于采用變壓器實(shí)現(xiàn)電氣隔離,進(jìn)行電流、電壓變換,應(yīng)用范圍較廣。但缺點(diǎn)是體積重量較大,驅(qū)動(dòng)變壓器容易激磁飽和,設(shè)計(jì)相對(duì)困難。

  實(shí)驗(yàn)中所采用的MOSFET為IRFP460,其典型參數(shù)為:Ciss=4.1nF;Qg=120nC;VDS=500V;ID=20A;VGS=±20V。 測(cè)試電路為圖4所示電路,開關(guān)頻率為50kHz。從導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間來看:采用推挽式驅(qū)動(dòng)電路時(shí),開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間將近為180ns;而采用UCC27321驅(qū)動(dòng)芯片后,導(dǎo)通時(shí)間僅為80ns,關(guān)斷時(shí)間則為70ns。從波形(見圖5)來看:采用UCC27321驅(qū)動(dòng)芯片后,功率管開通時(shí),驅(qū)動(dòng)電路提供的柵極電壓具有快速的上升沿,并一開始有一定的過沖;關(guān)斷瞬時(shí),提供了較大的反壓,使管子可靠關(guān)斷,開關(guān)管的導(dǎo)通特性和關(guān)斷特性明顯改善。所以采用UCC27321驅(qū)動(dòng)芯片構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路,開關(guān)管的開通和關(guān)斷損耗都將會(huì)大大減小。



6 結(jié)論

  通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證UCC27321驅(qū)動(dòng)芯片具有良好的驅(qū)動(dòng)特性,能快速驅(qū)動(dòng)MOSFET,從而減小了開通和關(guān)斷損耗。同時(shí),通過設(shè)置使能端能設(shè)計(jì)出性能優(yōu)異的保護(hù)電路,具有外圍電路簡(jiǎn)潔,實(shí)現(xiàn)電源,輸入、輸出地之間的,可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。能很好地應(yīng)用于高速M(fèi)OSFET的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。


參考文獻(xiàn):

[1]張占松,蔡宣三編著,《開關(guān)電源的原理與設(shè)計(jì)》,電子工業(yè)出版社,北京,1998。

[2]. SEM-1400, Topic 2, A Design and Application Guide for High Speed Power MOSFET Gate Drive Circuits,TI Literature No. SLUP133

[3]. U–137, Practical Considerations in High Performance MOSFET, IGBT and MCT Gate Drive Circuits, by Bill Andreycak, TI Literature No. SLUA105

[4]. Technical Brief, PowerPad Thermally Enhanced Package, TI Literature No. SLMA002

[5]. Application Brief, PowerPAD Made Easy, TI Literature No. SLMA004
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