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IGBT強(qiáng)驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)及電流尖峰抑制方案

作者: 時(shí)間:2012-03-12 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
的大小一般通過(guò)多次實(shí)驗(yàn)來(lái)確定。這個(gè)電容大小的選擇既要考慮使脈沖上升沿較陡,又不出現(xiàn)尖峰。

已在中頻脈沖滲碳電源中應(yīng)用,配合器件過(guò)流過(guò)壓保護(hù)電路,能較好地滿足200 A/1 200 VIGBT模塊的驅(qū)動(dòng)要求。同時(shí)對(duì)驅(qū)動(dòng)大功率的MOSFET等場(chǎng)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)管都有很好的借鑒作用。

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