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開關(guān)電源設(shè)計(jì)全過程

作者: 時(shí)間:2011-04-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
轉(zhuǎn)換到一次側(cè)(以電流的方式),當(dāng)二次側(cè)的TL431導(dǎo)通后,U2即會(huì)將二次側(cè)的電流依比例轉(zhuǎn)換到一次側(cè),此時(shí)3843由Pin6 (output)輸出off的信號(hào)(Low)來關(guān)閉Q1,使用Photo coupler的原因,是為了符合安規(guī)需求(primacy to secondary的距離至少需5.6mm).

3.3.26 R13(二次側(cè)回路增益控制): 控制流過Photo coupler的電流,R13阻值較小時(shí),流過Photo coupler的電流較大,U2轉(zhuǎn)換電流較大,回路增益較快(需要確認(rèn)是否會(huì)造成振蕩),R13阻值較大時(shí),流過Photo coupler的電流較小,U2轉(zhuǎn)換電流較小,回路增益較慢,雖然較不易造成振蕩,但需注意輸出電壓是否正常.

3.3.27 U3(TL431)、R15、R16、R18 調(diào)整輸出電壓的大小, ,輸出電壓不可超過38V(因?yàn)門L431 VKA最大為36V,若再加Photo coupler的VF值,則Vo應(yīng)在38V以下較安全),TL431的Vref為2.5V,R15及R16并聯(lián)的目的使輸出電壓能微調(diào),且R15與R16并聯(lián)后的值不可太大(盡量在2KΩ以下),以免造成輸出不準(zhǔn).

3.3.28 R14,C9(二次側(cè)回路增益控制): 控制二次側(cè)的回路增益,一般而言將電容放大會(huì)使增益變慢;電容放小會(huì)使增益變快,電阻的特性則剛好與電容相反,電阻放大增益變快;電阻放小增益變慢,至于何謂增益調(diào)整的最佳值,則可以Dynamic load來量測(cè),即可取得一個(gè)最佳值.

3.3.29 D4(整流二極管): 因?yàn)檩敵鲭妷簽?.3V,而輸出電壓調(diào)整器(Output Voltage Regulator)使用TL431(Vref=2.5V)而非TL432(Vref=1.25V),所以必須多增加一組繞組提供Photo coupler及TL431所需的電源,因?yàn)閁2及U3所需的電流不大(約10mA左右),二極管耐壓值100V即可,所以只需使用1N4148(0.15A/100V). 3.3.30 C8(濾波電容): 因?yàn)閁2及U3所需的電流不大,所以只要使用1u/50V即可. 3.3.31 D5(整流二極管): 輸出整流二極管,D5的使用需考慮: a. 電流值 b. 二極管的耐壓值 以DA-14B33為例,輸出電流4A,使用10A的二極管(Schottky)應(yīng)該可以,但經(jīng)點(diǎn)溫升驗(yàn)証后發(fā)現(xiàn)D5溫度偏高,所以必須換為15A的二極管,因?yàn)?0A的VF較15A的VF 值大.耐壓部分40V經(jīng)驗(yàn)証后符合,因此最后使用15A/40V Schottky. 3.3.32 C10,R17(二次側(cè)snubber) :

D5在截止的瞬間會(huì)有spike產(chǎn)生,若spike超過二極管(D5)的耐壓值,二極管會(huì)有被擊穿的危險(xiǎn),調(diào)整snubber可適當(dāng)?shù)臏p少spike的電壓值,除保護(hù)二極管外亦可改善EMI,R17一般使用1/2W的電阻,C10一般使用耐壓500V的陶質(zhì)電容,snubber調(diào)整的過程(264V/63Hz)需注意R17,C10是否會(huì)過熱,應(yīng)避免此種情況發(fā)生.

3.3.33 C11,C13(濾波電容): 二次側(cè)第一級(jí)濾波電容,應(yīng)使用內(nèi)阻較小的電容(LXZ,YXA…),電容選擇是否洽當(dāng)可依以下三點(diǎn)來判定: a. 輸出Ripple電壓是符合規(guī)格 b. 電容溫度是否超過額定值 c. 電容值兩端電壓是否超過額定值

3.3.34 R19(假負(fù)載): 適當(dāng)?shù)氖褂眉儇?fù)載可使線路更穩(wěn)定,但假負(fù)載的阻值不可太小,否則會(huì)影響效率,使用時(shí)亦須注意是否超過電阻的額定值(一般設(shè)計(jì)只使用額定瓦數(shù)的一半).

3.3.35 L3,C12(LC濾波電路): LC濾波電路為第二級(jí)濾波,在不影響線路穩(wěn)定的情況下,一般會(huì)將L3 放大(電感量較大),如此C12可使用較小的電容值. 4 設(shè)計(jì)驗(yàn)証:(可分為三部分) a. 設(shè)計(jì)階段驗(yàn)証 b. 樣品制作驗(yàn)証 c. QE驗(yàn)証 4.1 設(shè)計(jì)階段驗(yàn)証 設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)階段應(yīng)該養(yǎng)成記錄的習(xí)慣,記錄可以驗(yàn)証實(shí)驗(yàn)結(jié)果是否與電氣規(guī)格相符,以下即就DA-14B33設(shè)計(jì)階段驗(yàn)証做說明(驗(yàn)証項(xiàng)目視規(guī)格而定).

4.1.1 電氣規(guī)格驗(yàn)証:

4.1.1.1 3843 PIN3腳電壓(full load 4A) : 90V/47Hz = 0.83V 115V/60Hz = 0.83V 132V/60Hz = 0.83V 180V/60Hz = 0.86V 230V/60Hz = 0.88V 264V/63Hz = 0.91V 4.1.1.2 Duty Cycle , fT: 4.1.1.3 Vin(min) = 100V (90V / 47Hz full load)

4.1.1.4 Stress (264V / 63Hz full load) : Q1 MOSFET: 4.1.1.5 輔助電源(開機(jī),滿載)、短路Pin max.:

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