開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)全過(guò)程
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
4.1.1.8 回授失效(輸出輕載) Vout = 8.3V90V/47Hz Vout = 6.03V264V/63Hz
4.1.1.9 O.C.P.(過(guò)電流保護(hù)) 90V/47Hz = 7.2A 264V/63Hz = 8.4A 4.1.1.10 Pin(max.) 90V/47Hz = 24.9W 264V/63Hz = 27.1W 4.1.1.11 Dynamic test H=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise) L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full) 90V/47Hz 264V/63Hz
4.1.1.12 HI-POT test: HI-POT test一般可分為兩種等級(jí): 輸入為3 Pin(有FG者),HI-POT test為1500Vac/1 minute.Y-CAP使用Y2-CAP 輸入為2 Pin(無(wú)FG者),HI-POT test為3000Vac/1 minute.Y-CAP使用Y1-CAP DA-14B33屬于輸入3 PIN HI-POT test 為1500Vac/1 minute. 4.1.1.13 Grounding test: 輸入為3 Pin(有FG者),一般均要測(cè)接地阻(Grounding test),安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過(guò)100MΩ(2.5mA/3 Second). 4.1.1.14 溫升記錄
設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)定案后(暫定),需針對(duì)整體溫升及EMI做評(píng)估,若溫升或EMI無(wú)法符合規(guī)格,則需重新實(shí)驗(yàn).溫升記錄請(qǐng)參考附件,D5原來(lái)使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二極管 ),因溫升較高改為PBYR1540CTX(15A/40V). 4.1.1.15 EMI測(cè)試: EMI測(cè)試分為二類: Conduction(傳導(dǎo)干擾)
Radiation(幅射干擾) 前者視規(guī)范不同而有差異(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz),前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗(yàn)証;后者(范圍由30M - 300MHz,則因廠內(nèi)無(wú)設(shè)備必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)証,Conduction,Radiation測(cè)試資料請(qǐng)參考附件) .
4.1.1.16 機(jī)構(gòu)尺寸: 設(shè)計(jì)階段即應(yīng)對(duì)機(jī)構(gòu)尺寸驗(yàn)証,驗(yàn)証的項(xiàng)目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….,若設(shè)計(jì)階段無(wú)法驗(yàn)証,則必須在樣品階段驗(yàn)証.
4.1.2 樣品驗(yàn)証: 樣品制作完成后,除溫升記錄、EMI測(cè)試外(是否需重新驗(yàn)証,視情況而定),每一臺(tái)樣品都應(yīng)經(jīng)過(guò)驗(yàn)証(包括電氣及機(jī)構(gòu)尺寸),此階段的電氣驗(yàn)証可以以ATE(Chroma)測(cè)試來(lái)完成,ATE測(cè)試必須與電氣規(guī)格相符. 4.1.3 QE驗(yàn)証: QE針對(duì)工程部所提供的樣品做驗(yàn)証,工程部應(yīng)提供以下交件及樣品供QE驗(yàn)証.
評(píng)論