手把手教你讀懂FET選取合適器件

由于Cgd在承受正壓時(shí)，電容量非常小（Cgd雖然?。坏荙gd=Cgd*Ugd，Qgd仍然是很大的），Cgs遠(yuǎn)大于Cgd。因此；脈沖初期，驅(qū)動(dòng)脈沖主要為Cgs充電，直到FET開始開啟為止。開啟時(shí)；FET的柵電壓就是門檻電壓Vth。

大多數(shù)情況下；柵電壓達(dá)到Vth前，只有很小的電流流過FET。FET一直處于關(guān)斷狀態(tài)。

當(dāng)FET柵電壓達(dá)到Vth，F(xiàn)ET開始導(dǎo)電。無論負(fù)載在漏極還是在源極，都將因有電流流過而承受部分或全部電壓。這樣FET將經(jīng)歷由阻斷狀態(tài)時(shí)承受全部電壓逐漸變到短路而幾乎沒有電壓降落為止的過程。

這個(gè)過程中，Cgd同步經(jīng)歷了放電過程。放電電流為I=Qgd/ton。

Igd——密勒電流分流了FET的驅(qū)動(dòng)電流！使得FET的柵電壓上升變緩。

彌勒電荷越大；這個(gè)斜坡越長。

彌勒電荷不僅和器件有關(guān)還和漏極電壓有關(guān)。一般；電壓越高；電荷量越大。

FET的柵電壓達(dá)到Vth后；電流流過FET的溝道，此時(shí)；FET工作在線性區(qū)。FET視在斜率隨Id大小變化而變。但；從Vg、Id的變化量看，兩者之比就是FET跨到S。即S=(Id2-Id1)/(Vgs2-Vgs1)。

其中；同樣粗細(xì)的亮色線為一組；代表各自的Vg和Id的關(guān)系。

由于在FET開的過程中，柵電壓變緩，是彌勒電容分流引起的，所以；也叫彌勒效應(yīng)區(qū)。

因此；在斷續(xù)反激電源里，彌勒效應(yīng)區(qū)的柵電壓斜率基本不變。而正激、半/全橋等；斜率隨負(fù)載而變。

彌勒效應(yīng)時(shí)間（開關(guān)時(shí)間）ton/off=Qgd/Ig

注：1）Ig指FET的柵驅(qū)動(dòng)電流。

FET “ON” Ig=（Vb-Vth）/Rg

2）Vb：穩(wěn)態(tài)柵驅(qū)動(dòng)電壓