一種POL終端匹配電源的熱模擬研究與仿真

　　0 引言

　　POL(P0int Of LOad)終端匹配電源廣泛應(yīng)用于存儲器、CPU等高速信號端口。端口電壓能夠自動跟蹤1／2主電源的電壓，并輸出或吸入信號的匹配電流。本文中自主研制的端口匹配電源DDRl2V4520，輸出穩(wěn)壓精度高、響應(yīng)快、電壓設(shè)定數(shù)字化，已廣泛應(yīng)用于多個工程項目，實際使用效果良好。本文對比該電源的熱模擬仿真結(jié)果與實測結(jié)果，評估電源的溫升，確認(rèn)了模型的準(zhǔn)確性。在以后的同類電源設(shè)計中，通過仿真計算，可以相當(dāng)準(zhǔn)確地預(yù)計電源的熱工作狀況。

　　1 工作原理

　　電源DDR12V4520的主電源輸出電壓為1．5V～2．8V，額定輸出電流45A。匹配電源跟蹤l／2主電源電壓，可以輸出或吸入電流，額定容量20A。圖l是該電源的原理圖。圖2給出了完成貼裝焊接的電源DDRl2V4520的實物照片。主電源控制器為ADP3163(Analog Devices)，匹配電源控制器為MAXl917(Maxim)。主電源的功率器件采用三合一DrMOSR2J20601(Renesas)，匹配電源的功率器件是FDD6035AL和FDD8870(Fairchild)。輸出采用低串聯(lián)阻抗固體有機(jī)膜電容器濾波，實用效果十分理想。主電源的輸出電壓通過5位VID碼設(shè)定(ADP3163)，使用十分方便，電壓精度可達(dá)0．025V。

　　主電源功率器件DrMOS R2J20601是Renesas公司推出的一種新型的三合一芯片。該芯片集兩個MOSFET和一個驅(qū)動電路于一體，具有工作頻率高、功耗低、結(jié)構(gòu)緊湊、封裝小、輸出電流大、效率高等優(yōu)點，十分適用于低電壓、大電流的應(yīng)用場合。圖3給出了該芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。圖4給出了該芯片的實物圖。

　　2 熱模型

　　利用ICKPAK軟件進(jìn)行熱模擬仿真，首先需要建立熱仿真模型。因此需要估算電源的各元器件的功耗，來確定仿真參數(shù)。表1給出了電源在滿負(fù)荷與半負(fù)荷工作狀態(tài)時的參數(shù)。

　　估算電感的損耗時，分為銅損和鐵損來估算。銅損為電流的直流分量在電感中產(chǎn)生的損耗，鐵損為電流的交流分量產(chǎn)生的損耗。對于電源中的電容、電阻等常規(guī)元件的功耗評估不再贅述，重點討論一下主電源與匹配電源功率器件的功耗估算。

　　電源工作頻率為600kHz，主電源功率器件有3片DrMOS R2J20601(Renesas)，因此單個器件工作頻率為200kHz。根據(jù)參考文獻(xiàn)中提供的典型工作數(shù)據(jù)曲線，可得滿負(fù)荷工作情況下的單個該器件LOSS=2．

　　同樣在滿負(fù)荷工作狀態(tài)，實際試驗環(huán)境溫度、風(fēng)冷條件與仿真條件相同的情況下，對電源進(jìn)行考機(jī)試驗，得到電源A面與B面的溫度實際測量結(jié)果分別如圖5(b)、圖6(b)所示。

　　2)半負(fù)荷工作狀態(tài)

　　在仿真軟件ICEPAK中，設(shè)置環(huán)境溫度為17℃，強(qiáng)迫風(fēng)冷，風(fēng)速為0．8m／s，風(fēng)向不變。在半負(fù)荷工作狀態(tài)下，電源的A面與B面仿真計算結(jié)果分別如圖7(a)、圖8(a)所示。

　　在相同的工作狀態(tài)、試驗條件下，對電源DDR12V4520進(jìn)行考機(jī)試驗，得到電源A面與B面的溫度實際測量結(jié)果分別如圖7(b)、圖8(b)所示。

　　4 結(jié)束語

　　ICKPAK仿真模型建立得不能太復(fù)雜，單體尺寸不能相差太大，否則網(wǎng)格劃分時數(shù)量過多。當(dāng)網(wǎng)格數(shù)小于20萬時，單機(jī)運(yùn)算速度良好；大于40萬時，運(yùn)算速度過于緩慢而影響計算。本試驗中的風(fēng)道截面為120mm×120mm，如何測量風(fēng)速十分關(guān)鍵。使用普通的風(fēng)機(jī)式測風(fēng)儀，會破壞整個試驗風(fēng)道的平衡，不適用于本試驗，只適合于大環(huán)境的測量，例如機(jī)艙級或者機(jī)房級的測量。為了保證試驗的真實性和準(zhǔn)確性，本試驗使用了點狀測風(fēng)儀(EATVS一4W／Sensor)，對原風(fēng)道基本沒有影響，測量三個點的風(fēng)速，取其算術(shù)平均值，因此所得的風(fēng)速測量值十分可信。

　　計算所得的效率與實測的效率有一些差異，主要的原因是功率芯片的功耗計算值不夠精確，文獻(xiàn)中提供的功耗是在25℃時的給定值，但在實際運(yùn)行時，溫度上升會使功耗有所上升。

　　L1，L2，L3上方的PCB區(qū)域有很多過孔，電流從B面通過這些過孔流到A面，引發(fā)PCB局部發(fā)熱。在計算時，沒有將過孔建立發(fā)熱模型，只是PCB整體均勻發(fā)熱，所以局部的溫度分布不很真實，L2上方測溫點的計算值與實驗值有6℃左右的差異。

　　如表3所示，計算值與實際測試值比較接近，說明模型和計算方法基本正確，可廣泛應(yīng)用于電源模塊的熱能工作狀態(tài)評估。在今后的同類電源設(shè)計驗證中可采用此模擬仿真方法，無需搭建復(fù)雜的試驗平臺，可大大簡化設(shè)計驗證步驟，縮短設(shè)計周期，有效提高了設(shè)計效率，具有很大的實用價值。