三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3
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作為尖端半導體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/234623.htm
三星電子利用現(xiàn)有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術(shù)限制，開創(chuàng)了內(nèi)存存儲器制造技術(shù)的新紀元。NAND閃存的基本存儲單元由一個晶體管構(gòu)成，而DRAM則由一個電容器和一個晶體管串聯(lián)構(gòu)成，因此后者更難實現(xiàn)制程技術(shù)的微細化。然而，三星電子通過對芯片設(shè)計和制程技術(shù)的改良，創(chuàng)新性地研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(shù)(Modified Double Patterning)”和“超薄介電層成型技術(shù)(Atomic layer deposition)”，順利實現(xiàn)了20納米4Gb DDR3 DRAM的量產(chǎn)。
“改良版雙重照片曝光技術(shù) (Modified Double Patterning)”僅利用現(xiàn)有的光刻機設(shè)備即可生產(chǎn)20納米DDR3，而且更為下一代10納米級DRAM的量產(chǎn)做了核心技術(shù)儲備，為半導體制程技術(shù)建立了一個新的里程碑。同時，電容器單元的介電層不僅超薄，而且前所未有的排列均衡，確保了基本存儲單元的優(yōu)越性能。
在這些新技術(shù)的基礎(chǔ)上，新一代20納米DDR3 DRAM的生產(chǎn)率比25納米DDR3提高了30%以上，更比30納米級DDR3提高了超過一倍。同時，基于20納米的DDR3 DRAM模組的耗電量同比基于25納米的DDR3降低了25%，將為全球IT企業(yè)提供最優(yōu)質(zhì)的“超節(jié)能綠色IT方案”。
三星電子存儲芯片事業(yè)部戰(zhàn)略營銷部門負責人全永鉉副總裁表示：“三星電子的新一代超節(jié)能型20納米DDR3內(nèi)存將在包括電腦和移動市場在內(nèi)的IT領(lǐng)域迅速站穩(wěn)腳跟，并進一步占據(jù)主流地位。今后，三星電子將繼續(xù)領(lǐng)先競爭對手推出下一代大容量DRAM和綠色存儲方案，與全球客戶攜手為世界IT市場的快速增長做出貢獻?！?/p>
未來，三星電子將致力于研發(fā)10納米級的新一代DRAM產(chǎn)品，突破半導體技術(shù)的瓶頸，持續(xù)推進存儲器市場的發(fā)展。
據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)Gartner預測，2014年全球DRAM市場產(chǎn)值將由2013年的356億美元增長至379億美元。
三星綠色存儲官網(wǎng) www.samsung.com/GreenMemory
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