新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業(yè)界動態(tài) > 2014年我國納米電子器件獲重大突破

2014年我國納米電子器件獲重大突破

作者: 時間:2014-03-17 來源:中國行業(yè)研究網(wǎng) 收藏

  微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實驗室陳仙輝教授課題組與復(fù)旦大學(xué)張遠波教授、封東來教授和吳驊教授課題組合作,在二維類石墨烯場效應(yīng)晶體管研究中取得重要進展,成功制備出具有幾個厚度的二維黑磷場效應(yīng)晶體管。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/234847.htm

  單層原子厚度的石墨烯的發(fā)現(xiàn),標(biāo)志著二維晶體作為一類可能影響人類未來電子技術(shù)的材料問世。然而二維石墨烯的電子結(jié)構(gòu)中不具備能隙,在電子學(xué)應(yīng)用中不能實現(xiàn)電流的“開”和“關(guān)”,這就弱化了其取代計算機電路中半導(dǎo)體開關(guān)的用途??茖W(xué)家們開始探索替換材料,希望克服石墨烯的缺陷,并提出了幾種可能的替換材料,如單層硅、單層鍺,但這些材料在空氣中都不穩(wěn)定,不利于實際應(yīng)用。進一步探索具有新型功能并可實際應(yīng)用的二維材料具有十分重要的意義和挑戰(zhàn)性。

  他們成功制備出基于具有能隙的二維黑磷單晶的場效應(yīng)晶體管。與其他二維晶體材料相比,二維黑磷單晶材料更加穩(wěn)定,但其單晶在常壓下不容易生長。陳仙輝課題組博士生葉國俊利用學(xué)校購置的高溫高壓合成設(shè)備,在高溫高壓的極端條件下成功生長出高質(zhì)量的黑磷單晶材料,為實現(xiàn)二維黑磷單晶材料奠定了基礎(chǔ)。隨后,陳仙輝課題組與張遠波課題組合作,利用膠帶進行機械剝落的方法,從塊狀單晶中剝出薄片,附著到鍍有一層二氧化硅的硅晶片上,并在此基礎(chǔ)上制備出場效應(yīng)晶體管。

實驗顯示,當(dāng)二維黑磷材料厚度小于7.5時,其在室溫下可以得到可靠的晶體管性能,其漏電流的調(diào)制幅度在10萬量級,電流—電壓特征曲線展現(xiàn)出良好的電流飽和效應(yīng)。晶體管的電荷載流子遷移率還呈現(xiàn)出對厚度的依賴性,當(dāng)二維黑磷材料厚度在10時,獲得最高的遷移率值大約1000平方厘米每伏每秒。這些性能表明,二維黑磷場效應(yīng)晶體管在納米應(yīng)用方面具有極大的潛力。


關(guān)鍵詞: 納米 電子器件

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉