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三星攜手GLOBALFOUNDRIES開發(fā)14nm工藝

作者: 時(shí)間:2014-04-21 來源:IC設(shè)計(jì)與制造 收藏

  根據(jù)為期多年的協(xié)議,將授權(quán)三星的FinFET器件, 和三星同步使用自己在美國(guó)和韓國(guó)的晶圓廠制造和生產(chǎn)14nm。這是在晶圓業(yè)第一個(gè)能從20納米真實(shí)面積縮放的FinFET技術(shù),而這術(shù)平臺(tái)已經(jīng)獲得了牽引作為高容量,低功耗的SoC設(shè)計(jì)中的首選。隨著和三星攜手合作,無晶圓廠半導(dǎo)體客戶將享有更多的選擇和靈活性,因?yàn)楣?yīng)將來自多個(gè)世界源地。與此同時(shí),無晶圓廠半導(dǎo)體客戶也能維持在流動(dòng)性和IT基礎(chǔ)設(shè)施的領(lǐng)導(dǎo)地位。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/236832.htm


關(guān)鍵詞: GLOBALFOUNDRIES 14納米

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