面向未來(lái)節(jié)能汽車的大功率高壓產(chǎn)品
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最終，我們的汽車產(chǎn)品組合（見(jiàn)圖2）能夠在很寬的電壓與功率范圍內(nèi)滿足節(jié)能汽車市場(chǎng)的要求。
利用這項(xiàng)高性能IC技術(shù)和當(dāng)前的產(chǎn)品組合，IR提供了相應(yīng)的電源開(kāi)關(guān)來(lái)滿足擊穿電壓要求。如圖3所示，IR提供了電壓范圍為30V~300V的高性能MOSFET，其采用了高度穩(wěn)定的平面技術(shù)以及具有領(lǐng)先RDSON和最佳開(kāi)關(guān)性能的溝槽MOSFET解決方案。對(duì)于電壓不低于300V的應(yīng)用，我們提供了汽車高壓開(kāi)關(guān) - IGBT（絕緣柵雙極晶體管），我們可以利用它滿足應(yīng)用需求，從而在600V~1200V（或者兩者之間的任何定制中間電壓范圍）的電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)低開(kāi)關(guān)損耗或低導(dǎo)通損耗。
◆高效率
◆大載流能力
◆出色的機(jī)械和電氣性能
◆低EMI和低寄生電感
因此，IR開(kāi)發(fā)了先進(jìn)的封裝技術(shù)平臺(tái)，即COOLiR2 TM，其囊括了各種封裝解決方案，從分立無(wú)引線封裝到更復(fù)雜的電源模塊解決方案。
日本汽車制造商和供應(yīng)商已經(jīng)證明節(jié)能汽車的突破性轉(zhuǎn)變與成功是可以實(shí)現(xiàn)的。IR的汽車團(tuán)隊(duì)致力于通過(guò)創(chuàng)新型半導(dǎo)體和封裝產(chǎn)品組合來(lái)實(shí)現(xiàn)汽車架構(gòu)領(lǐng)域的“發(fā)展與變革”，讓汽車制造商、汽車系統(tǒng)供應(yīng)商和汽車終端用戶都能夠從中受益，從而在保持駕車樂(lè)趣的同時(shí)，節(jié)約燃料，保護(hù)環(huán)境。
評(píng)論