研究表明新三維封裝技術(shù)將提高智能移動(dòng)設(shè)備性能

　　半導(dǎo)體研究公司SRC(Semiconductor Research Corporation)贊助的加州大學(xué)伯克利分校近日表示，他們正在研究的一種三維封裝方法將能夠大幅提高智能移動(dòng)設(shè)備和可穿戴電子產(chǎn)品的機(jī)能。該項(xiàng)研究的特別之處在于，有別于以往三維電子互聯(lián)解決方案中的堆疊芯片封裝方式，研究人員試圖用半導(dǎo)體“墨水”涂層對(duì)一塊三維單片電路板進(jìn)行封裝，以增加額外的電子晶體管。

　　通過(guò)這種最新的電子封裝加工工藝，半導(dǎo)體制造商將能夠開(kāi)發(fā)出尺寸更小，功能更全面的低功耗高性能集成元件，從而大幅提高產(chǎn)品的運(yùn)算、存儲(chǔ)、傳感及顯示能力。由于此項(xiàng)加工技術(shù)產(chǎn)生的溫度較低，因此其同樣適用于以高分子聚合物為基底的集成電路，為可穿戴電子產(chǎn)品和包裝材料的應(yīng)用提供了更多可能。

　　據(jù)該校電子工程和計(jì)算機(jī)科學(xué)系教授Vivek Subramanian表示，“與現(xiàn)今普遍采用的單層半導(dǎo)體晶體薄膜、多晶硅氣體存儲(chǔ)或其他的三維封裝技術(shù)相比，我們的新方法不僅制作工藝更簡(jiǎn)單，且成本或許會(huì)更低。我們希望通過(guò)此項(xiàng)研究，盡可能縮小所生產(chǎn)的電子元件成本與性能比。”

　　目前，該團(tuán)隊(duì)正研究如何通過(guò)直接在CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)的金屬膜表面噴涂透明氧化物晶體管以為其添加額外的有源器件。

　　為了配合該項(xiàng)研究，材料和加工技術(shù)也需要相應(yīng)的進(jìn)行改進(jìn)以適用于存儲(chǔ)納米顆粒形式的半導(dǎo)體、電介質(zhì)及導(dǎo)體。該團(tuán)隊(duì)正重點(diǎn)研究溶液加工法。因該加工法所需溫度不高，與CMOS金屬膜的兼容性很好，且生產(chǎn)成本相比其他傳統(tǒng)方法也可能會(huì)更低。

　　據(jù)SRC公司納米加工科學(xué)部門(mén)的主管Bob Havemann表示，“伯克利團(tuán)隊(duì)的初步研究成果表明，只要加工過(guò)程的溫度不會(huì)對(duì)CMOS表面的金屬膜產(chǎn)生影響，通過(guò)噴墨形式封裝的電子集成元件性能就能被大幅提高。”