東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014

　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。

　　東芝電子將展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產(chǎn)品、Stack(壓接裝置)產(chǎn)品、SiC(混合型IEGT)產(chǎn)品、IPD + MCU(電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案)、MOSFETs以及Coupler(光耦)。

　　展示產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

　　IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor)

　　東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強(qiáng)”(IE：Injection Enhanced)技術(shù)，用于高電壓大電流級(jí)別的IGBT使其性能得到大幅提升。隨后，針對(duì)100kW到MW級(jí)別的超大功率電力轉(zhuǎn)換設(shè)備的應(yīng)用，開(kāi)發(fā)出東芝專利產(chǎn)品IEGT。IEGT通過(guò)采取“注入增強(qiáng)結(jié)構(gòu)”實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大功率電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。作為IGBT系列電力電子器件具有良好的發(fā)展前景，其具有低損耗、高速開(kāi)關(guān)、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)。并采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)均流等技術(shù)，使其在進(jìn)一步及擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力。目前，東芝的IEGT主要應(yīng)用于新能源、太陽(yáng)能、風(fēng)能、高壓直流輸電(HVDC)、牽引用特種電源等特大功率電力領(lǐng)域。隨著電力市場(chǎng)項(xiàng)目功率等級(jí)和電壓等級(jí)的不斷提高，IEGT的優(yōu)勢(shì)逐步得到了體現(xiàn)和認(rèn)可。現(xiàn)在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)上已經(jīng)有以東芝的IEGT作為核心器件成功運(yùn)行項(xiàng)目。

　　Stack(壓接裝置)

　　針對(duì)PPI壓接式封裝的產(chǎn)品，需要專用的壓接裝置，東芝將展示客戶版本的壓接裝置，可供其他客戶參考。

　　SiC (混合型IEGT)

　　東芝已將新型材料碳化硅的技術(shù)，成功地應(yīng)用于IEGT模塊中，取代了IEGT中的二極管，實(shí)現(xiàn)了高效和高性能的新產(chǎn)品。

　　IPD + MCU(電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案)

　　東芝智能模塊IPD結(jié)合了專用驅(qū)動(dòng)芯片MCD，可以支持小功率的電機(jī)，并已被廣泛地用于家電行業(yè)。

　　MOSFETs

　　東芝擁有豐富封裝的高壓MOS管(HV-MOS)和低壓MOS(LV-MOS)產(chǎn)品線，能滿足從消費(fèi)類電子到工業(yè)相關(guān)設(shè)備的不同需求。

　　Coupler(光耦)

　　東芝光耦的出貨量一直保持全球第一，擁有豐富的封裝和新產(chǎn)品線，能滿足從不同領(lǐng)域的不同需求。

　　東芝將在節(jié)能、環(huán)保、綠色及可持續(xù)發(fā)展等方面以全面創(chuàng)新為己任，整合多領(lǐng)域技術(shù)，提供優(yōu)秀的產(chǎn)品和技術(shù)支持。