無視出售芯片業(yè)務(wù)傳言 IBM升級RF芯片制程
在市場再度傳言IBM將10億美元出售其芯片部門給GlobalFoundries的同時(shí),該公司正在加速量產(chǎn)新一代絕緣上覆硅(silicon-on-insulator,SOI)與硅鍺(silicongermanium,SiGe)制程,以擴(kuò)大在射頻(RF)芯片代工市場的占有率;該類芯片傳統(tǒng)上大多是采用更稀有的砷化鎵(galliumarsenide,GaAs)制程。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/248310.htmIBM的兩種新制程都在該公司只提供晶圓代工的美國佛州Burlington晶圓廠運(yùn)作,該座8吋晶圓廠以往曾生產(chǎn)IBM高階服務(wù)器處理器以及相關(guān)芯片,不過那些芯片的生產(chǎn)已經(jīng)移往位于紐約州EastFishkill的12吋晶圓廠。Burlington晶圓廠為廣泛的客戶提供CMOS、SOI與SiGe等多種制程,但現(xiàn)在打算將制程種類減少,集中資源在生產(chǎn)RF芯片的SOI制程等技術(shù)上;該種制程目前也是IBM晶圓代工業(yè)務(wù)中成長最快的。
不過IBM并未透露該晶圓廠的產(chǎn)能規(guī)模以及營收,僅表示該公司自四年前開始生產(chǎn)SOI制程RF芯片迄今,該類芯片已經(jīng)累計(jì)出貨達(dá)70億顆──光是去年出貨量就達(dá)30億顆;那些芯片主要是供應(yīng)手機(jī)與無線通信基站應(yīng)用。
接受EETimes美國版編輯訪問的IBM代表都不愿針對芯片部門出售傳言發(fā)表意見,這些專家都是該公司模擬制造部門的資深人才,只談技術(shù)。IBM專門生產(chǎn)RF芯片的最新SOI制程代號為7SW,以制造RF交換器為主,還有一些功率放大器;無論是蜂窩通信或是Wi-Fi設(shè)備,為因應(yīng)對多重頻段的支持,對這類組件需求越來越高。
在IBM任職25年、五年前開始負(fù)責(zé)RFSOI業(yè)務(wù)的RF前端技術(shù)開發(fā)經(jīng)理MarkJaffe表示:“較新一代的智能型手機(jī)內(nèi)含8~12顆RF交換器,RF前端的構(gòu)造非常復(fù)雜,主要原因是我們現(xiàn)在有采用載波聚合(carrieraggregation)的AdvancedLTE技術(shù),支持很多載波路徑以及頻段。”
IBM為RF芯片量身打造的SOI制程技術(shù)
7SW是一種1.3微米/1.8微米混合制程,號稱能提升RF交換器性能30%,同時(shí)將芯片面積尺寸縮小30%。“我們重新打造了交換器晶體管,將焦點(diǎn)集中在決定漏電的導(dǎo)通電阻(resistance-on)與關(guān)斷電容(capacitance-off);”Jaffe表示:“其次我們提升了交換器晶體管的擊穿電壓(breakdownvoltage),通常你得堆棧晶體管以承受高電壓需求,但現(xiàn)在你可以建立一個(gè)短一點(diǎn)的堆棧以縮減芯片面積。”
此外IBM也改善了晶體管的線性度,將三次諧波失真(thethirdharmonicdistortion)降低了8dB。事實(shí)上7SW制程幕后的核心團(tuán)隊(duì)大概只有10個(gè)人、工作了18個(gè)月;該團(tuán)隊(duì)約是從2006年開始研發(fā)RF芯片專用的SOI制程。而為了建立第二供應(yīng)來源,IBM已將位于法國的一座舊晶圓廠獨(dú)立為新公司Altis。
在IBM任職14年、負(fù)責(zé)向無線領(lǐng)域客戶營銷晶圓代工業(yè)務(wù)的SaraMellinger表示,過去包括Skyworks等市場領(lǐng)導(dǎo)級RF芯片供貨商,是采用砷化鎵制程制造RF前端芯片,但現(xiàn)在該類芯片已經(jīng)大幅轉(zhuǎn)向采用SiGe或SOI制程。
目前在SOI制程RF芯片代工領(lǐng)域,TowerJazz是IBM最大的競爭對手,此外CMOS制程晶圓代工大廠GlobalFoundries與臺積電(TSMC)也準(zhǔn)備切入SOI制程搶相關(guān)商機(jī)。目前IBM的7SW制程已經(jīng)在質(zhì)量驗(yàn)證階段,并為關(guān)鍵客戶提供芯片樣品,預(yù)計(jì)2015年正式量產(chǎn)。
IBM的SiGe制程邁向90納米節(jié)點(diǎn)
至于IBM代號9HP的SiGeBiCMOS制程技術(shù)則是90納米節(jié)點(diǎn),能支持360GHz最高振蕩頻率(Fmax)、300+GHz截止頻率(Ft),因應(yīng)60~80GHz運(yùn)作頻率的各種芯片所需閾值。而采用90納米制程節(jié)點(diǎn),則能實(shí)現(xiàn)接近SOI、媲美砷化鎵制程之更緊密、低功耗的設(shè)計(jì),可生產(chǎn)包括60GHz的Wi-Fi芯片、蜂巢式骨干網(wǎng)絡(luò)芯片組、高階測試設(shè)備用芯片、光學(xué)收發(fā)器,以及規(guī)模雖小、成長快速的車用雷達(dá)芯片,還有航天軍事應(yīng)用雷達(dá)芯片。
“這將會是被大幅應(yīng)用的技術(shù);”自1980年代就投入開發(fā)SiGe技術(shù)(當(dāng)時(shí)應(yīng)用于生產(chǎn)IBM服務(wù)器處理器芯片)的IBM院士DavidHarame表示,目前大多數(shù)SiGe技術(shù)都是采用0.18或0.13微米制程節(jié)點(diǎn),IBM是最近才領(lǐng)先宣布進(jìn)入90納米節(jié)點(diǎn)。
9HP制程是IBM的一個(gè)十人小組花了四年時(shí)間開發(fā),目前已提供數(shù)家關(guān)鍵客戶試用,預(yù)計(jì)8月能通過質(zhì)量驗(yàn)證。如同SOI制程,IBM也將提供9HP制程的開發(fā)套件,此外該公司也提供客制化的介電質(zhì)附加模塊(dielectricadd-onmodules)以及毫米波工具組。Harame強(qiáng)調(diào):“這并非是產(chǎn)業(yè)界常見的服務(wù),你在其他先進(jìn)CMOS晶圓廠或12吋晶圓廠就找不到這些東西。”
該團(tuán)隊(duì)也表示,SiGe制程市場正呈現(xiàn)成長態(tài)勢,因?yàn)槟壳胺涓C骨干網(wǎng)絡(luò)正邁向采用60GHz連結(jié)技術(shù),此外車用雷達(dá)也預(yù)計(jì)將被產(chǎn)業(yè)界大幅采用。
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