三大半導體廠對18吋晶圓進程態(tài)度迥異

　　全球18吋晶圓(450mm)世代時程至少將延至2018年，甚至傳出英特爾(Intel)減速研發(fā)時程，微影設備機臺大廠ASML亦傳出停止新世代18吋晶圓機臺開發(fā)，目前最心急18吋晶圓世代來臨的應是三星電子(SamsungElectronics)，因為其著眼于18吋晶圓廠配合10納米以下制程技術，將可驅動固態(tài)硬碟(SSD)大量取代傳統(tǒng)硬碟市場。

　　半導體業(yè)者指出，18吋晶圓世代是半導體產業(yè)一定要驅動的方向，但當中面臨的技術障礙比預期高，可能導致量產時程延后，目前全球有能力進入18吋晶圓世代的半導體廠，分別是臺積電、英特爾及三星，而GlobalFoundries因為加入三星陣營，后續(xù)動態(tài)仍需觀察，但三大半導體廠對于18吋晶圓世代的急迫性，顯然有不同看法。

　　半導體業(yè)者表示，過去英特爾主導PC時代，在8吋和12吋晶圓世代研發(fā)總是沖鋒搶第一，但因為英特爾沒有趕上移動通訊大爆發(fā)世代，在18吋晶圓擴產腳步可能不會這么急迫，與過去態(tài)度迥異。

　　目前對于推展18吋晶圓最為急迫的應該是三星，由于其是DRAM和NANDFlash芯片霸主，存儲器芯片是標準型大量產品，對于成本結構敏感度極高，轉進18吋晶圓廠生產具有成本快速降低效應。另外，SSD需求再度翻紅，且最大應用商機將不再是個人儲存領域，而是云端儲存、大型資料中心需要的伺服器應用，這亦讓三星更急于推展18吋晶圓。

　　半導體業(yè)者認為，像是在SSD應用上，半導體廠若能驅動到18吋晶圓，配合10納米以下制程技術生產NANDFlash芯片，將可大幅降低SSD成本結構，甚至可大幅取代傳統(tǒng)硬碟，讓SSD生產極具成本效益，因此三星將是最積極推動18吋晶圓世代的半導體廠。

　　至于臺積電在28、20納米制程成功搶攻市占率后，未來在16、10及7納米制程藍圖都已擘劃完成。半導體業(yè)者透露，18吋晶圓發(fā)展亦在臺積電的藍圖中，但會更謹慎擘劃，目前10納米制程的試產線還沒用到極紫外線(EUV)機臺，預計仍是以多重曝光微影設備方式來作制程微縮。

　　業(yè)界預期18吋晶圓世代來臨至少要到2018年左右，甚至有半導體廠喊出要到2020年，由于技術障礙高，能否獲得臺積電、英特爾和三星采用都是問題，至于設備業(yè)者投入龐大研發(fā)成本是否能夠回收，亦將是一大問題。

　　半導體業(yè)者指出，半導體廠要降低生產成本可透過制程微縮或增加晶圓尺寸，由于制程微縮已見瓶頸，尤其10納米以下難度大增，目前似乎只有增加晶圓尺寸來擴大產出，進而降低成本，盡管從12吋轉至18吋晶圓面積可多出1.25倍，但因為投入研發(fā)和蓋廠費用飆升，估計一座12吋廠成本約25億美元，但18吋廠要100億美元起跳，讓廠商躊躇不前。

　　360°：Global450Consortium

　　全球18吋晶圓(450mm)開發(fā)主要是由Global450Consortium(G450C)組織主導，這是由全球五大半導體廠臺積電、英特爾(Intel)、三星電子(SamsungElectronics)、IBM和GlobalFoundries在2011年成立的組織。

　　G450C的成立宗旨在于協(xié)調半導體廠和機臺設備業(yè)者對18吋晶圓世代技術開發(fā)的不同意見。18吋晶圓的技術障礙高是一大問題，但未來半導體客戶過度集中，設備廠開發(fā)成本高，但未必能有足夠回收，卻是更嚴重的問題，因為這將導致設備廠投資上的疑慮，進而拖延半導體產業(yè)進入18吋晶圓世代的時程。為了讓半導體廠與設備業(yè)者能更緊密合作，因此才成立了G450C。

　　半導體大廠除了組成產業(yè)組織外，為了加速設備研發(fā)的腳步，個別廠商也曾有對設備廠進行策略性投資的例子，如英特爾曾宣布投資41億美元，入股最關鍵的微影設備大廠ASML，第一階段的研發(fā)重點是450mmLithography技術，將分5年投入6.8億美元，加上普通股投資約21億美元取得10%股權，而第二階段則是EUVLithography技術開發(fā)，同樣也分為5年，約投入10.2億美元做技術研發(fā)，另外投資10億美元取得5%股權。

　　臺積電、三星電子對ASML也有類似的策略性投資。