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激光微細(xì)加工中微小曝光區(qū)溫度測量系統(tǒng)的改進(jìn)

作者: 時間:2013-09-02 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
半導(dǎo)體的技術(shù)具有“直接寫入”、“低溫處理”等獨特的優(yōu)越性,在微電子、光電子、集成光學(xué)及光電混合集成等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用。如制作OEIC(光電混合集成)器件時,可以把電路和光路部分分開來做,即先在半導(dǎo)體襯底上做好集成電路,再利用的直接寫入功能,一次性“寫入”p-n結(jié)和歐姆接觸,可以避免高溫?zé)釗p壞半導(dǎo)體基片和集成電路,從而可以使OEIC各個部分性能達(dá)到最優(yōu),大大提高OEIC的整體性能。因此,自20世紀(jì)70年代末期以來,國內(nèi)外在這方面的研究都比較活躍。

技術(shù)中,人們需要了解曝光區(qū)溫度分布的細(xì)節(jié),尤其是焦斑中心溫度、熱斑邊界等重要信息。針對半導(dǎo)體基片溫度的測量方法已有很多報道,但大多是測量基片的平均溫度,不能滿足上述要求。本課題組曾經(jīng)報道的微小高溫區(qū)溫度不接觸實時測量系統(tǒng),測量區(qū)域直徑最小可以達(dá)到18μm,溫度分辨能力可以達(dá)到1℃,基本滿足激光微細(xì)加工的要求。但系統(tǒng)在實際應(yīng)用時遇到幾個問題。首先是要進(jìn)一步提高溫度分辨率時,測溫范圍達(dá)不到要求。其次是測量曝光區(qū)溫度分布時,需手動調(diào)節(jié)測溫套筒的位置,系統(tǒng)的調(diào)整和讀數(shù)不方便,只能測較少的點,不能很好的反映曝光區(qū)的溫度分布,同時難以尋找到曝光區(qū)的最高溫度點,使得測溫帶來誤差。本文首先簡單介紹現(xiàn)有系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)和工作原理,然后詳細(xì)分析了產(chǎn)生這些問題的原因,以及對溫度測量的影響。在此基礎(chǔ)上,提出一種計算機,較好的解決了這些問題。該系統(tǒng)采用高精度、低漂移電流放大器對光電探測器產(chǎn)生的光電流進(jìn)行放大,并將放大后的電壓信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號輸入計算機進(jìn)行記錄、處理,在溫度為600℃附近,將溫度分辨率提高到0.2℃,并且擴大了測溫范圍。通過計算機軟件對最高光電流值進(jìn)行判斷,可精確調(diào)整測溫套筒,使半導(dǎo)體基片表面位置位于探測器光敏面的共軛面位置。同時,計算機通過對曝光區(qū)進(jìn)行快速掃描,獲得溫度場的分布,以及對最高溫度點進(jìn)行準(zhǔn)確定位。

1.系統(tǒng)實驗裝置和工作原理

系統(tǒng)實驗裝置如圖1所示,CO2激光器輸出的10.6μm激光束經(jīng)反射鏡M、鍺透鏡L2聚焦后照射在表面已制備好含Zn的SiO2乳膠膜的半導(dǎo)體基片S上,完成擴散結(jié)的寫入等。曝光區(qū)近似為圓。基片上曝光區(qū)受激光照射升溫而發(fā)出較強的熱輻射,由透鏡L1將曝光區(qū)中被測面元的熱輻射能會聚在探測器D的光敏面上,并通過光電探測器把被測面元的熱輻射轉(zhuǎn)換為光電流,實際上也就是把被測面元的溫度信號變?yōu)殡娏餍盘?,最后通過檢流計顯示出光電流值,據(jù)此可得出相應(yīng)的溫度值。


圖1 的實驗裝置

合理地將曝光區(qū)Σ近似為灰體,其面發(fā)光率

R=KσT4(1)

式中,K是被測基片在Σ區(qū)的平均發(fā)射本領(lǐng),σ為Stefan常數(shù),T為曝光區(qū)中測量點的溫度。進(jìn)一步假設(shè)透鏡接受到的被測面元(探測器光敏面的共軛面元)的輻射全部會聚到探測器光敏面,則探測器D輸出的光電流為

IP=RI(T)KσT4S1S′/(πd21)(2)

式中,RI(T)為探測器的電流響應(yīng)率,S1為透鏡L1的通光孔面積,S′為測量區(qū)域面積,即Σ中與探測器D的光敏面共軛面元的面積,d1為L1到基片表面的距離。

(2)式表明,探測器D輸出的光電流對溫度的變化非常敏感,只要對光電流有一定的分辨率,就可達(dá)到較高的溫度分辨率。顯然,這種輻射測溫法具有不接觸測量的功能。

由于探測器光敏面的共軛面元(被測面元)面積S′、發(fā)射本領(lǐng)K難以準(zhǔn)確測定,電流響應(yīng)率RI(T)是溫度函數(shù),所以依據(jù)式(2)用理論計算的方法由光電流IP求出溫度T比較困難。實驗中,需進(jìn)行溫度定標(biāo),即確定檢流計的電流示值同被測面元溫度之間的關(guān)系。溫度定標(biāo)的實驗方法見文獻(xiàn)[6],通過溫度定標(biāo)后,就可以根據(jù)檢流計的電流示值讀出溫度值。

2.系統(tǒng)在實際使用時遇到的問題

2.1溫度分辨率和測量范圍不能同時滿足要求

圖2 是系統(tǒng)對GaAs基片進(jìn)行定標(biāo)實驗的結(jié)果。從圖中可以看出,當(dāng)溫度從400℃變到700℃時,光電流將從幾個納安變到一百多個納安,變化范圍很大。系統(tǒng)中采用檢流計來測量探測器產(chǎn)生的光電流。當(dāng)采用檢流計的高靈敏度檔時,量程不能滿足這樣寬的測量范圍。因此只能使用檢流計的次靈敏檔,但這樣測量得出的精度又不能令人滿意。由于光電流與溫度的非線性關(guān)系,特別是在低溫時,光電流分辨率的降低使得溫度分辨率很低。這一點從圖2中可以看出。在溫度為600℃時,光電流分辨率為InA對應(yīng)的溫度分辨率約為1℃,而在溫度為450℃時,對應(yīng)的溫度分辨率降為約10℃。因此,需要采用新方法在不減小測量范圍的條件下提高對溫度的分辨率。


圖2 定標(biāo)實驗結(jié)果

2.2不能準(zhǔn)確測得溫度場的分布及對曝光區(qū)最高溫度區(qū)域進(jìn)行定位


圖3 溫度的徑向分布曲線


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