數(shù)字微波傳輸設(shè)備IDU測(cè)量解決方案

對(duì)于該測(cè)試，RS 推薦的測(cè)試方案為采用SMU200A+FSQ 實(shí)現(xiàn)的射頻衰落模擬器：

●SMU200A ：矢量信號(hào)源 (SMU-B14 ：衰落模擬器；SMU-B17 ：基帶輸入)。

●FSQ ：信號(hào)分析儀 (FSQ-B17 ：數(shù)字基帶接口)。

在此方案中，RS測(cè)試平臺(tái)不僅可以完成衰落模擬的試驗(yàn)，同時(shí)也可以進(jìn)行高斯白噪聲AWGN的模擬，簡(jiǎn)化數(shù)字微波傳輸設(shè)備IDU的C/N和BER測(cè)試，具體參見圖7。

圖7 SMU200A進(jìn)行BER~C/N測(cè)試方框圖

5 數(shù)字基帶測(cè)試

在研發(fā)階段，為了保證各級(jí)電路的功能和性能符合設(shè)計(jì)要求，分級(jí)測(cè)試是必要的。數(shù)字電路是數(shù)字微波室內(nèi)單元信號(hào)處理的核心部分之一，數(shù)字微波傳輸設(shè)備的配置、編程、組網(wǎng)以及通信能力很大程度上取決于數(shù)字部分。因此，對(duì)數(shù)字電路部分進(jìn)行測(cè)試是必不可少的。

作為歐洲最大的無(wú)線電測(cè)試、測(cè)量?jī)x器制造商，羅德與施瓦茨公司對(duì)各種不同通信標(biāo)準(zhǔn)基站的射頻測(cè)試都擁有豐富的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，羅德與施瓦茨公司全系列的高性能儀表在基站、終端研發(fā)和生產(chǎn)中得到了廣泛應(yīng)用。目前，RS推出的EX-IQ-Box設(shè)備可以提供靈活的數(shù)字接口輸入和輸出功能，能方便連接到RS的信號(hào)源和信號(hào)分析儀上，可進(jìn)行接收機(jī)測(cè)量、發(fā)射機(jī)測(cè)量、信號(hào)源仿真及射頻前端模擬等功能。

通常，對(duì)發(fā)射部分?jǐn)?shù)字電路測(cè)試時(shí)，會(huì)直接對(duì)電路輸出數(shù)字IQ 信號(hào)進(jìn)行測(cè)試，分析其調(diào)制質(zhì)量，如EVM；對(duì)接收部分?jǐn)?shù)字電路測(cè)試時(shí)，會(huì)直接對(duì)其輸入數(shù)字IQ信號(hào)進(jìn)行接收性能測(cè)試，也可以在源部分加入噪聲與衰落效應(yīng)，進(jìn)一步進(jìn)行測(cè)試（見圖8）。

圖8 數(shù)字基帶測(cè)試平臺(tái)

根據(jù)以上要求，RS 推薦的測(cè)試方案為：

●SMU200A：矢量信號(hào)源。

●FSQ：矢量信號(hào)分析儀。

●EX-IQ-Box：數(shù)字IQ 信號(hào)格式轉(zhuǎn)換器。

矢量信號(hào)源SMU200A 和矢量信號(hào)分析儀FSQ 具備強(qiáng)大的信號(hào)產(chǎn)生和分析能力，是恰當(dāng)?shù)陌l(fā)射和分析性能測(cè)試工具。此外，對(duì)于數(shù)字電路部分的測(cè)試，SMU200A 和FSQ 均提供了數(shù)字IQ 的輸入／輸出接口，該接口為TRV290（RS 內(nèi)部數(shù)字接口格式），為了與外部被測(cè)設(shè)備的數(shù)字接口匹配，RS 提供了EX-IQ-Box，該轉(zhuǎn)換器可TVR290 接口格式轉(zhuǎn)換為通用的數(shù)字信號(hào)接口格式，反之亦然。