意法半導(dǎo)體(ST)推出全新M系列IGBT,有效提升太陽(yáng)能及工業(yè)電源的能效和可靠性
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出全新M系列1200V IGBT,以先進(jìn)的溝柵式場(chǎng)截止技術(shù) (trench-gate field-stop) 為特色,有效提升太陽(yáng)能逆變器 (solar inverters)、電焊機(jī) (welding equipment)、不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 與工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等多項(xiàng)目標(biāo)應(yīng)用的能效和可靠性。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/266700.htm高度優(yōu)化的導(dǎo)通性和關(guān)斷性以及低導(dǎo)通損耗 (low turn-on loss),讓全新的改進(jìn)型IGBT 特別適用于執(zhí)行工作頻率高達(dá)20kHz的硬開(kāi)關(guān)電路 (hard-switching circuit);最高工作溫度提高至175°C,寬安全工作范圍 (SOA, safe operating area) 無(wú)閉鎖效應(yīng) (latch-up free),150°C 時(shí)的短路耐受時(shí)間 (short-circuit withstand time) 為10µs,這些特性確保新產(chǎn)品在惡劣的外部電氣環(huán)境中具有更高的可靠性。
新產(chǎn)品所用的第三代技術(shù)包括新的先進(jìn)的溝柵結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化的高壓IGBT架構(gòu),可以最大限度地降低電壓過(guò)沖 (voltage overshoot),消除關(guān)斷期間出現(xiàn)的振蕩現(xiàn)象 (oscillation),有效降低電能損耗,簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。與此同時(shí),低飽和電壓 (Vce (sat)) 可確保新產(chǎn)品具有很高的導(dǎo)通能效。正溫度系數(shù)和窄飽和電壓范圍可簡(jiǎn)化新產(chǎn)品并聯(lián)設(shè)計(jì),有助于提高功率處理能力。
新產(chǎn)品還受益于提升的導(dǎo)通能效。此外,新產(chǎn)品與IGBT反向并聯(lián) (anti-parallel) 的新一代二極管一同封裝,具有快速的恢復(fù)時(shí)間和增強(qiáng)的恢復(fù)軟度特性,且導(dǎo)通損耗沒(méi)有明顯上升,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更出色的EMI性能表現(xiàn)。
40A STGW40M120DF3、25A STGW25M120DF3和15A STGW15M120DF3三款產(chǎn)品采用標(biāo)準(zhǔn)的TO-247封裝,STGWA40M120DF3、STGWA25M120DF3和STGWA15M120DF3三款產(chǎn)品采用TO-247長(zhǎng)引腳封裝,目前均已開(kāi)始量產(chǎn)。
欲了解更多詳情,請(qǐng)瀏覽:www.st.com/igbt
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