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MOS管工作原理,就是這么簡單

作者:蔣雅嫻 時間:2015-01-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

1. --簡介

  ,即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconductor即金屬-氧化物-半導(dǎo)體,確切的說,這個名字描述了集成電路中MOS管的結(jié)構(gòu),即:在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上,加上二氧化硅和金屬,形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認(rèn)為是對稱的。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/268236.htm

MOS管簡介

2. MOS管--Mos管的結(jié)構(gòu)特點

  MOS管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示;其導(dǎo)通時只有一種極性的載流子(多子)參與導(dǎo)電,是單極型晶體管。導(dǎo)電機理與小功率MOS管相同,但結(jié)構(gòu)上有較大區(qū)別,小功率MOS管是橫向?qū)щ娖骷?,功率MOSFET大都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu),又稱為VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐壓和耐電流能力。

Mos管的結(jié)構(gòu)特點

  其主要特點是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此具有很高的輸入電阻,該管導(dǎo)通時在兩個高濃度n擴散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓,且只有柵源電壓大于閾值電壓時才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍?柵源電壓為零)時,就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

3. MOS管--MOS管的特性

  3.1MOS管的輸入、輸出特性

  對于共源極接法的電路,源極和襯底之間被二氧化硅絕緣層隔離,所以柵極電流為0。

MOS管的特性

  圖(a)為共源極接法的電路,輸出特性曲線如右圖所示。

  當(dāng)VGS

MOS管的特性

  3.2MOS管的導(dǎo)通特性

  MOS管作為開關(guān)元件,同樣是工作在截止或?qū)▋煞N狀態(tài)。由于MOS管是電壓控制元件,所以主要由柵源電壓uGS決定其工作狀態(tài)。下面以管為例介紹其特性。

MOS管的特性

  圖 (a)為由增強型管構(gòu)成的開關(guān)電路。

  的特性,Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,適合用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只要柵極電壓達(dá)到4V或10V就可以了。

  PMOS的特性,Vgs小于一定的值就會導(dǎo)通,適合用于源極接VCC時的情況(高端驅(qū)動)。但是,雖然PMOS可以很方便地用作高端驅(qū)動,但由于導(dǎo)通電阻大,價格貴,替換種類少等原因,在高端驅(qū)動中,通常還是使用NMOS。

4.

  MOS管的工作原理(以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管)它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少,以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況,然后達(dá)到控制漏極電流的目的。在制造管子時,通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子,故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷,這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通,形成了導(dǎo)電溝道,即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時,溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變,導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變,因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。

MOS管的工作原理

知識延伸

MOS管的分類

  按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種;按導(dǎo)電方式:MOS管又分耗盡型與增強型,所以MOS場效應(yīng)晶體管分為N溝耗盡型和增強型;P溝耗盡型和增強型四大類。MOS管的分類

MOS管應(yīng)用

  MOS管最顯著的特性是開關(guān)特性好,所以被廣泛應(yīng)用在需要電子開關(guān)的電路中,常見的如開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動,也有照明調(diào)光。而且由MOS管構(gòu)成的CMOS傳感器為相機提供了越來越高的畫質(zhì),成就了更多的“攝影家”。MOS管應(yīng)用

—參考資料

  1、MOS管的開關(guān)損耗-反激式分析

  描述:利用反激式分析MOS管的開關(guān)損耗

  2、MOSFET的工作原理

  描述:功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和工作原理

  3、MOS、三極管用作開關(guān)時的區(qū)別聯(lián)系

  描述:MOS管、三極管用作開關(guān)時的區(qū)別聯(lián)系

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