雙向可控硅原理圖
雙向可控硅原理圖——?jiǎng)e稱(chēng)“雙向晶閘管”
雙向可控硅是一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的交流開(kāi)關(guān)器件,其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意,發(fā)明于1957年。雙向可控硅為單向?qū)щ娦蚤_(kāi)關(guān),能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且僅需一個(gè)觸發(fā)電路。可控硅具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài),從外形上區(qū)分主要有:螺栓形、平板形和平底形三類(lèi)。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/269914.htm由于雙向可控硅特性類(lèi)似于真空閘流管,所以國(guó)際上通稱(chēng)為硅晶體閘流管,簡(jiǎn)稱(chēng)可控硅T;又由于可控硅最初應(yīng)用于可控整流方面,所以又稱(chēng)為硅可控整流元件,簡(jiǎn)稱(chēng)為可控硅SCR。
圖1 雙向可控硅外形圖
雙向可控硅原理圖——結(jié)構(gòu)原理圖
雙向可控硅屬于NPNPN五層器件,三個(gè)電極分別是T1、T2、G。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合,但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。
因該器件可以雙向?qū)?,故除門(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱(chēng)為主端子,用T1、T2。表示,不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,的電壓均為正時(shí),T2是陽(yáng)極,T1是陰極。反之,當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),T1變成陽(yáng)極,T2為陰極。雙向可控硅由于正、反向特性曲線(xiàn)具有對(duì)稱(chēng)性,所以它可在任何一個(gè)方向?qū)ā?/p>
相比于單向可控硅,雙向可控硅在原理上最大的區(qū)別就是能雙向?qū)?,不再有?yáng)極陰極之分,取而代之以T1和T2,其結(jié)構(gòu)示意圖如下圖2(a)所示,如果不考慮G級(jí)的不同,把它分割成圖2(b)所示,可以看出相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向并聯(lián)而成,如圖2(c)所示連接。
圖2 雙向可控硅結(jié)構(gòu)原理圖
雙向可控硅原理圖——特性
TRIAC為三端元件,其三端分別為T(mén)1 (第二端子或第二陽(yáng)極),T 2(第一端子或第一陽(yáng)極)和G(控制極)亦為一閘極控制開(kāi)關(guān),與SCR最大的不同點(diǎn)在于TRIAC無(wú)論于正向或反向電壓時(shí)皆可導(dǎo)通,其符號(hào)構(gòu)造及外型如下圖3所示。因?yàn)樗请p向元件,所以不管T1、T2的電壓極性如何,若閘極有信號(hào)加入時(shí),則T1 ,T2間呈導(dǎo)通狀態(tài);反之,加閘極觸發(fā)信號(hào),則T1 ,T2間有極高的阻抗。
(a)符號(hào)(b)構(gòu)造
圖3 TRIAC
雙向可控硅原理圖——觸發(fā)特性
由于TRIAC為控制極控制的雙向可控硅,控制極電壓VG極性與陽(yáng)極間之電壓VT1T2四種組合分別如下:
(1). VT1T2為正, VG為正。
(2). VT1T2為正, VG為負(fù)。
(3). VT1T2為負(fù), VG為正。
(4). VT1T2為負(fù), VG為負(fù)。
一般最好使用在對(duì)稱(chēng)情況下(1與4或2與3),以使正負(fù)半周能得到對(duì)稱(chēng)的結(jié)果,最方便的控制方法則為1與4之控制狀態(tài),因?yàn)榭刂茦O信號(hào)與VT1T2同極性。
圖4 TRIAC之V-I特性曲線(xiàn)
上圖4所示為T(mén)RIAC之V-I特性曲線(xiàn),將此圖與SCR之VI特性曲線(xiàn)比較,可看出TRIAC的特性曲線(xiàn)與SCR類(lèi)似,只是TRIAC正負(fù)電壓均能導(dǎo)通,所以第三象限之曲線(xiàn)與第一象限之曲線(xiàn)類(lèi)似,故TRIAC可視為兩個(gè)SCR反相并聯(lián)TRIAC之T1-T2的崩潰電壓亦不同,亦可看出正負(fù)半周的電壓皆可以使TRIAC導(dǎo)通,一般使TRIAC截止的方法與SCR相同,即設(shè)法降低兩陽(yáng)極間之電流到保持電流以下TRIAC即截止。
雙向可控硅原理圖——相位控制
TRIAC的相位控制與SCR很類(lèi)似,可用直流信號(hào),交流相位信號(hào)與脈波信號(hào)來(lái)觸發(fā),所不同者是V T1-T2負(fù)電壓時(shí),仍可觸發(fā)TRIAC。TRIAC能雙向?qū)ǎ谡?fù)半周均能觸發(fā)、可作為全波功率控制之用,因此TRIAC除具有SCR的優(yōu)點(diǎn),更方便于交流功率控制。
圖5(a)為T(mén)RIAC相位控制電路,只適當(dāng)?shù)恼{(diào)整RC時(shí)間常數(shù)即可改變它的激發(fā)角;圖5(b)、5(c)分別是激發(fā)角為30度時(shí)的VT1-T2及負(fù)載的電壓波形,一般TRIAC所能控制的負(fù)載遠(yuǎn)比SCR小,大體上而言約在600V、40A以下。
(a)
(b)AC兩端電壓波形
(c)負(fù)載兩端電壓波形
圖5 TRIAC相位控制電路
雙向可控硅原理圖——檢測(cè)方法
下面介紹利用萬(wàn)用表RXl檔判定雙向晶閘管電極的方法,同時(shí)還檢查觸發(fā)能力。
1.判定T2極
由圖6可見(jiàn),G極與T1極靠近,距T2極較遠(yuǎn)。因此,G—T1之間的正、反向電阻都很小。在用 RXl檔測(cè)任意兩腳之間的電阻時(shí),只有在G-T1之間呈現(xiàn)低阻,正、反向電阻僅幾十歐,而T2-G、T2-T1之間的正、反向電阻均為無(wú)窮大。這表明,如果測(cè)出某腳和其他兩腳都不通,就肯定是T2極。另外,采用TO—220封裝的雙向晶閘管,T2極通常與小散熱板連通,據(jù)此亦可確定T2極。
2.區(qū)分G極和T1極
(1)找出T2極之后,首先假定剩下兩腳中某一腳為T(mén)l極,另一腳為G極。
(2)把黑表筆接T1極,紅表筆接T2極,電阻為無(wú)窮大。接著用紅表筆尖把T2與G短路,給G極加上負(fù)觸發(fā)信號(hào),電阻值應(yīng)為十歐左右(參見(jiàn)圖6(a)),證明管子已經(jīng)導(dǎo)通,導(dǎo)通方向?yàn)門(mén)1一T2。再將紅表筆尖與G極脫開(kāi)(但仍接T2),若電阻值保持不變,證明管子在觸發(fā)之后能維持導(dǎo)通狀態(tài)(見(jiàn)圖6(b))。
圖6 用萬(wàn)用表判定雙向晶閘管電極
雙向可控硅原理圖——工作原理
雙向可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成。
圖7 雙向可控硅等效圖解
當(dāng)陽(yáng)極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制極G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過(guò),經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基極相連,所以ib1=ic。
此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個(gè)電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,使ib2不斷增大,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個(gè)管子的電流劇增,可控硅使飽和導(dǎo)通。
由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋?zhàn)饔?,所以一旦可控硅?dǎo)通后,即使控制極G的電流消失了,可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài),由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用,沒(méi)有關(guān)斷功能,所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。
由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開(kāi)關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,條件如下:
表1 可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)的轉(zhuǎn)化條件
雙向可控硅原理圖——命名規(guī)則
1,TRIAC:
三端:TRIode(取前三個(gè)字母);
交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān):ACsemiconductor switch(取前兩個(gè)字母)。
以上兩組名詞組合成“TRIAC”,中文譯意“三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)”。由此可見(jiàn)“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱(chēng)。
2,BCR:
雙 向:Bi-directional(取第一個(gè)字母);
控 制:Controlled (取第一個(gè)字母);
整流器:Rectifier (取第一個(gè)字母)。
再由這三組英文名詞的首個(gè)字母組合而成:“BCR”,中文譯意“雙向可控硅”。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,如:BCR1AM-12、BCR8KM、BCR08AM等等。
3,BT:
雙 向:Bi-directional (取第一個(gè)字母);
三 端:Triode (取第一個(gè)字母)。
由以上兩組單詞組合成“BT”,也可對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如: 意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,均以此來(lái)命名雙向可控硅。代表型號(hào)如:PHILIPS 的BT131-600D、BT134-600E、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E、等等,這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅。
圖8 雙向可控硅具有不同的命名方式
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