臺積電預計2017年量產(chǎn)10nm 追上英特爾

　　晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)透露該公司將在2017年開始量產(chǎn)10納米制程，屆時將能與英特爾(Intel)并駕齊驅;“我們的10納米制程性能表現(xiàn)，包括速度、功率與密度，將會與我們認為英特爾為其10納米技術所定義的規(guī)格相當;”臺積電企業(yè)通訊部門總監(jiān)Elizabeth Sun表示：“憑藉技術實力，我們認為能在10納米節(jié)點拉近差距。”

　　而臺積電首度 表示，今年預期將會有半導體產(chǎn)業(yè)界最大規(guī)模的資本支出，其目標是鞏固其晶圓代工市場領導地位，以對抗英特爾、三星(Samsung)與Global Foundries等競爭者。臺積電將 2015年資本支出預算提高至115億美元至120億美元，較 2014年成長11.5~20%，主要原因是對市場的先進制程需求深具信心。英特爾的 2014年度資本支出為101億美元，今年則預期維持在100億美元左右，增減5億美元。

　　臺積電的Sun表示，隨著摩爾定律 (Moore‘s Law)逐漸“失能”，產(chǎn)業(yè)界也剩下越來越少廠商能負擔先進制程所需的龐大投資：“當你繼續(xù)微縮晶片，成本就不斷上升，越來越少人能夠真正負擔得起。”她 透露，臺積電將在該公司的中科廠(編按：12寸晶圓Fab 15)進行10納米量產(chǎn)，該廠隨后也將量產(chǎn)更先進的制程節(jié)點。

　　臺積電將于中科晶圓廠(Fab 15)量產(chǎn)10納米制程

　　根業(yè)界消息，臺積電的中科晶圓廠在 2018年底將達到9萬片晶圓月產(chǎn)能，采用10納米節(jié)點或更先進制程技術;該公司在本月稍早也表示將投資5，000億臺幣(159億美元)擴展中科廠產(chǎn) 能。在1月份的財報發(fā)布會上，臺積電共同執(zhí)行長劉德音表示，臺積電2015年營收成長率可望比產(chǎn)業(yè)估計12%的平均成長率高出“數(shù)個百分點”。

　　臺積電 2015年第一季營收預期在新臺幣2，210億~2，240億臺幣之間，較2014年同期成長約50%。臺積電中科晶圓廠2014年產(chǎn)值為2，000億臺幣，貢獻臺積電年度總產(chǎn)值約28%的比例。而Sun也透露，臺積電的10納米節(jié)點量產(chǎn)將采用浸潤式微影設備，至于更先進制 程節(jié)點將采用何種微影工具則尚未公布。

　　“我們正在與ASML合作，目標是在未來某個時候如果超紫外光微影(EUV)準備就緒，我們就能將 該技術部分應用于10納米制程節(jié)點;”Sun解釋，所謂的部分應用指的是指在少數(shù)關鍵電路層采用，而在10納米以下制程節(jié)點使用EUV微影仍要看該技術是 否準備好量產(chǎn)：“相關工作仍在持續(xù)進展。”