英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN技術(shù)
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編者按： 英飛凌和松下聯(lián)合開發(fā)GaN器件，將松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
英飛凌和松下日前簽署一項(xiàng)合作，聯(lián)合開發(fā)GaN器件，該產(chǎn)品是基于松下的增強(qiáng)型GaN材料技術(shù)與英飛凌的SMD封裝技術(shù)相結(jié)合。
本文引用地址：http://www.butianyuan.cn/article/270825.htm日前，公司將率先推出600V 70mΩ的樣片，采用DSO封裝。
作為下一代重要的半導(dǎo)體技術(shù)，GaN越來越受到重視，主要特點(diǎn)是具備高功率密度小尺寸的特點(diǎn)，另一點(diǎn)則是提高能源效率的一大關(guān)鍵。
一般來說，基于硅上GaN技術(shù)的電力設(shè)備可用于廣泛的領(lǐng)域，從高電壓的工業(yè)應(yīng)用，如服務(wù)器電源到DC-DC轉(zhuǎn)換的低電壓應(yīng)用等。
IHS預(yù)測(cè)，GaN功率器件相關(guān)市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率將超過50%，從如今的1500萬美元至2023年的8億美元。
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