瑞薩科技發(fā)布用于功率MOSFET的 LFPAK-I上表面散熱型封裝
作者：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
時(shí)間：2004-07-27
來(lái)源：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用
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這種新封裝的特性總結(jié)如下。
(1)與瑞薩科技先前的封裝相比，安裝散熱熱阻值減小了40%，電流容量大約提高了30%。
LFPAK-I使用一種管芯散熱管座暴露在封裝上表面的結(jié)構(gòu)，與瑞薩科技目前的通過(guò)印刷線路板散熱的LFPAK封裝形式相比，LFPAK-I的熱沉安裝在頂部（使用強(qiáng)制空氣冷卻時(shí)），熱飽和狀態(tài)下的安裝熱阻值大約減小了40%，從25
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