瀾起科技攜全新DDR4產(chǎn)品亮相英特爾信息技術(shù)峰會
2015年4月8日,一年一度的英特爾信息技術(shù)峰會在深圳熱烈開幕,瀾起科技攜基于全新DDR4內(nèi)存接口套片的服務(wù)器平臺亮相峰會現(xiàn)場。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/272302.htm去年9月,瀾起科技DDR4內(nèi)存接口套片在成功通過英特爾公司認(rèn)證后,便成為亞洲第一家、國內(nèi)唯一一家支持基于英特爾Xeon E5-2600 v3系列的服務(wù)器平臺的企業(yè)。
M88DDR4RCD002是瀾起科技推出的全球首顆第二代DDR4寄存時鐘驅(qū)動器(RCD)芯片,其性能和速率均遠(yuǎn)超第一代DDR4 RCD芯片。一顆M88DDR4RCD02芯片可搭載九顆瀾起的第二代DDR4數(shù)據(jù)緩沖器芯片M88DDR4DB02(DB)組成套片,用于減載內(nèi)存模組(LRDIMM),為新一代服務(wù)器提供容量更大、速度更快、功耗更低的內(nèi)存解決方案。
這個套片的設(shè)計(jì)完全遵循最新的JEDEC DDR4規(guī)范,采用創(chuàng)新的系統(tǒng)存架構(gòu)和獨(dú)特的低功耗技術(shù)。目前,瀾起的DDR4內(nèi)存接口套片已經(jīng)被廣泛應(yīng)用到世界一流的服務(wù)器OEM廠商和DRAM廠商的DDR4 RDIMM和LRDIMM產(chǎn)品上,這些產(chǎn)品已順利通過了基于Intel Xeon Processor E5-2600 v3服務(wù)器平臺的嚴(yán)格驗(yàn)證,展現(xiàn)出優(yōu)秀的性能和良好的兼容性。
相較于DDR3標(biāo)準(zhǔn),DDR4芯片的優(yōu)點(diǎn)在于以下三個方面:
首先,存儲容量的不同,單一的DDR4芯片擁有比DDR3多一倍的儲存空間,而每個DDR4模塊最多可搭載8個DDR4芯片,比DDR3多一倍。也就是說,DDR4模塊的最大容量比DDR3多4倍。主板上相同的位置,DDR4可容納更大的內(nèi)存容量;換個角度來說,在容量需求不變的情況下,DDR4所需的空間比DDR3要小。
第二,傳輸速度的不同,DDR3的傳輸速度從800MHz(MHz=每秒百萬次)到2188MHz不等;而DDR4的傳輸速度則從2188MHz起跳,目前的規(guī)格定義到3200MHz,將來可望達(dá)到4266MHz。
最后,耗電量的不同,省電當(dāng)然是DDR4最明顯的改進(jìn)之處。DDR3所需的標(biāo)準(zhǔn)電源供應(yīng)是1.5V,而DDR4降至1.2V,專門為移動裝置設(shè)計(jì)的低功耗DDR4(LPDDR4)更降至1.1V。除了降低工作電壓,DDR4支持深度省電模式(Deep Power Down Mode),在暫時不需要用到內(nèi)存的時候可進(jìn)入休眠狀態(tài),無須更新內(nèi)存,可進(jìn)一步減少待機(jī)時功率的消耗。
除了上述的三個主要部份外,DDR4還支持命令/地址總線上的同位核對,以及在數(shù)據(jù)寫入時,數(shù)據(jù)總線上支持循環(huán)冗余檢驗(yàn)(CRC)等功能,以自動偵錯的方式來避免因信號干擾而導(dǎo)致不正確的命令或數(shù)據(jù)被寫入內(nèi)存,增加高速傳輸時數(shù)據(jù)的完整性。
DDR4的逐漸升溫,將陸續(xù)取代現(xiàn)有的DDR3用于企業(yè)重負(fù)荷機(jī)器和任務(wù)關(guān)鍵型的服務(wù)器系統(tǒng)。據(jù)集微網(wǎng)從產(chǎn)業(yè)鏈中得知,在DDR3時期,用于服務(wù)器的內(nèi)存接口芯片的容量僅為50%~60%,為了提高速度加入更多的存儲器,DDR4時期的內(nèi)存接口芯片的容量將會達(dá)到90%,兩年后這一市場容量將達(dá)到10億美金。作為亞洲唯一一家通過英特爾認(rèn)證的企業(yè),瀾起科技在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的地位將不容小視。服務(wù)器和存儲市場每5~6年便經(jīng)歷一場內(nèi)存技術(shù)的變革,DDR4的生命周期還將延續(xù)至2020年。
繼紫光集團(tuán)私有化展訊和銳迪科后,瀾起科技由上海浦東科投以6.94美元的價格完成私有化。據(jù)手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝透露,與展訊銳迪科回歸大陸上市的方式不同,瀾起科技可能選擇在香港上市,具體時間仍有待確定。
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