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耦合電感技術(shù)的優(yōu)勢

作者:AlexandrIkriannikov 時間:2015-05-14 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏
編者按:本文通過分析耦合電感技術(shù)優(yōu)勢,比較耦合電感技術(shù)與傳統(tǒng)電感技術(shù)的設(shè)計對比,利用耦合電感提高系統(tǒng)性能。

 (式4)

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/273276.htm

  使用較熟悉、較方便的參數(shù),可根據(jù)參考文獻(xiàn)得出式4的品質(zhì)因數(shù)()9。

   (式5)

  式5表示適用于特定的占空比D范圍:,其中系數(shù)k在范圍內(nèi)變化。

  圖4所示為整個占空比范圍內(nèi),不同相數(shù)下的減小。繪制曲線時,假設(shè)為理想耦合,L值相同。很明顯,增加耦合相數(shù)比較有利。

  注意,對于采用分立元件的一般方案,針對給定輸出電流正確增加相數(shù)是一種在成本、尺寸方面都很有優(yōu)勢的方法。對于在單芯片集成多個開關(guān)相的商用化集成方案,也非常具有吸引力。

  圖4也標(biāo)記了一個特殊的占空比:D = 0.15,對應(yīng)于實際例子VO = 1.8V,VIN = 12V。該條件繪制成圖5所示曲線,表明耦合系數(shù)ρ = Lm/Lk對抵消的影響。觀察圖4,D = 0.15時,分立電感的歸一化電流紋波大約為0.5,如圖5紅色曲線所示。相同條件下,如果耦合系數(shù)非常低,4相具有相同的電流紋波;隨著耦合系數(shù)增大,電流紋波大幅減小,見圖5。注意,電流紋波在開始下降非???,在耦合系數(shù)較大時達(dá)到平坦,建議耦合系數(shù)大約為3至5。利用這種方法,可實現(xiàn)最大程度的電流紋波抵消。

設(shè)計要點

  假設(shè)我們從采用分立電感的多相降壓轉(zhuǎn)換器開始設(shè)計,目標(biāo)是利用提高系統(tǒng)性能。如果當(dāng)前的分立電感設(shè)計具有合理的電流紋波,轉(zhuǎn)換器效率也滿足客戶要求。對于耦合系數(shù)相對實用的4相降壓轉(zhuǎn)換器,從式5得到的預(yù)期曲線如圖6所示。

  觀察圖6,D確定在大約0.15,可將FOM = 4作為設(shè)計目標(biāo)。圖7所示為得到的電流紋波:紅色曲線表示分立電感L的初始電流紋波;兩條曲線表示不同耦合系數(shù)下L的電流紋波;最后兩條曲線表示L/4時的電流紋波。與預(yù)期一樣,D大約為0.15時,分立電感L和L/FOM = L/4的電流紋波相當(dāng)。

  注意,根據(jù)應(yīng)用的不同,目標(biāo)占空比范圍可能不同,所選FOM可能高于D≈0.15時的數(shù)值。對于典型設(shè)計,選擇FOM = 4,其中利用50nH耦合電感代替210nH高效分立電感,如圖3所示。正如預(yù)期,小得多的電感值必須滿足飽和電流指標(biāo)要求,所以耦合電感尺寸比傳統(tǒng)方案小得多。選項FOM = 4也使瞬態(tài)條件下的電流擺率提高4倍,所以輸出電容可減小大約4倍。

  上述設(shè)計過程可應(yīng)用到任意相數(shù)。注意,所選FOM不一定單單為了改善瞬態(tài)性能。根據(jù)應(yīng)用條件和客戶要求優(yōu)先級的不同,可折中選擇FOM,例如直接減小電流紋波,進(jìn)而降低電路各處的傳導(dǎo)損耗。例如,選擇FOM = 4時,可以只將電感值降低2.6倍(同時也減小了提高的瞬態(tài)性能),使電流紋波減小、效率提高1.5倍。

  隨著耦合電感進(jìn)入不同的電源應(yīng)用領(lǐng)域,毫無疑問將有許多不同客戶從該專有技術(shù)中受益。


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