愛德萬(wàn)測(cè)試發(fā)表全新多功能存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)T5833，同時(shí)支持Mobile DRAM與NAND閃存測(cè)試

　　2015 年6 月16 日，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備供應(yīng)商愛德萬(wàn)測(cè)試發(fā)表全新存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)T5833，新系統(tǒng)同時(shí)支持DRAM 與NAND 閃存器件的晶圓測(cè)試及后道封裝測(cè)試，可滿足低成本大規(guī)模量產(chǎn)測(cè)試需求。T5833 預(yù)定本月開始出貨。

　　隨著移動(dòng)電子設(shè)備銷售量的不斷攀升，主要搭載于智能手機(jī)及平板電腦上的DRAM、NAND 閃存與多芯片封裝存儲(chǔ)器 (MCP) 正朝著快速提升速度與容量的方向發(fā)展，這個(gè)趨勢(shì)也同樣顯見于網(wǎng)絡(luò)和云端服務(wù)器市場(chǎng)。然而，當(dāng)今存儲(chǔ)器種類繁多，測(cè)試成本是一大障礙，因此芯片制造商急需一套具備先進(jìn)功能和高效能，并兼顧低測(cè)試成本的解決方案。愛德萬(wàn)測(cè)試全新多功能T5833 存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)，為所有存儲(chǔ)器器件 (從LPDDR3-DRAM、高速NAND 閃存，到新一代非易失性存儲(chǔ)器IC 全部涵蓋) 提供晶圓測(cè)試及后道封裝功能，可充分滿足上述需求。

　　T5833 存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)

　　T5833 具備高并行測(cè)試能力，晶圓測(cè)試支持2,048 個(gè)器件并行測(cè)試，后道封裝測(cè)試支持512 個(gè)器件同測(cè)，極大地縮短了測(cè)試時(shí)間并提升產(chǎn)能，有效地降低了測(cè)試成本。除了支持known good die (KGD)測(cè)試最高達(dá)2.4Gbps 之外，T5833 也同時(shí)憑借高效的site CPU架構(gòu)，憑借多CPU 設(shè)計(jì)，使測(cè)試流程獲得優(yōu)化控制。

　　T5833 測(cè)試系統(tǒng)提供業(yè)界領(lǐng)先的高速失效地址儲(chǔ)存功能與失效分析功能 (又稱存儲(chǔ)器冗余功能)，這兩個(gè)功能的快慢以及他們本身都是晶圓測(cè)試不可或缺的，減少測(cè)試時(shí)間意味著能修復(fù)更多的器件并提升產(chǎn)品良率。此外，這兩項(xiàng)功能皆可依照需求加以調(diào)整，例如增加CPU 用于修復(fù)分析計(jì)算。

　　T5833 采用愛德萬(wàn)測(cè)試的AS 模塊化存儲(chǔ)器測(cè)試平臺(tái)，無(wú)論客戶需要的是工程用機(jī)臺(tái)或是大型量產(chǎn)系統(tǒng)，皆可將平臺(tái)調(diào)整成符合需求的設(shè)定。T5833 的可擴(kuò)展性使其可以應(yīng)對(duì)未來(lái)新世代器件的測(cè)試，帶動(dòng)產(chǎn)能提升，創(chuàng)造更高投資價(jià)值。

　　愛德萬(wàn)測(cè)試存儲(chǔ)器測(cè)試事業(yè)執(zhí)行副總裁山田弘益表示，“T5833 既具有業(yè)界首屈一指的效能，又兼顧了客戶對(duì)于低測(cè)試成本的考慮，這兩大優(yōu)勢(shì)將有助于客戶獲得最大投資效益!”

　　愛德萬(wàn)測(cè)試存儲(chǔ)器測(cè)試系統(tǒng)已在全球安裝超過(guò)8000 臺(tái)，其中的T5503HS 以及新推出的T5833 都標(biāo)志著愛德萬(wàn)測(cè)試在存儲(chǔ)器測(cè)試市場(chǎng)繼續(xù)占據(jù)著領(lǐng)導(dǎo)地位。