高功率因數(shù)單級(jí)反激式LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

　　2.峰值電流偵測(cè)誤差：源自于峰值電流偵測(cè)電阻與經(jīng)過低通濾波器后訊號(hào)之差異，控制IC在取樣(Sample)至維持(hold)過程中存有愈長(zhǎng)的空白時(shí)間將造成偵測(cè)之電流低于實(shí)際電流，此與IC取樣速度相關(guān)。由于此型誤差為定向關(guān)系，可藉由電阻微調(diào)改善。

　　3.泄磁偵測(cè)延遲：IC藉由判斷輔助繞組諧振至低準(zhǔn)位作為次級(jí)電流截止之依據(jù)，但在諧振期間已無存在次級(jí)電流，故造成次級(jí)泄磁時(shí)間之偵測(cè)誤差，如圖2所示。此誤差嚴(yán)重程度與取決于雜散電容與變壓器激磁電感之諧振周期相關(guān)，若減小并聯(lián)之雜散效應(yīng)將加劇電磁干擾之高頻段部份。建議以外部補(bǔ)償方式克服。

　　圖1. Propagation delay在高低壓輸入產(chǎn)生之誤差

　　圖2. ZCD偵測(cè)之時(shí)間延遲

　　(b) IC輔助電源設(shè)計(jì)

　　LED驅(qū)動(dòng)器能支持寬廣輸出電壓是一大賣點(diǎn)，可擴(kuò)大產(chǎn)品的應(yīng)用范圍。對(duì)于定電流電源，變壓器設(shè)計(jì)是以最高輸出電壓為考慮，而輔助供電得考慮輕載(最低輸出電壓)時(shí)VCC電壓仍能維持在欠電壓鎖定(Under Voltage Lock Out， UVLO)之上，并且遠(yuǎn)高于主開關(guān)功率半導(dǎo)體之驅(qū)動(dòng)電壓上限以減少導(dǎo)通損。若輸出電壓變動(dòng)有2倍以上，輔助供電若超過VCC耐壓上限時(shí)則仰賴雙極性晶體管(Bipolar NPN)組成之線性穩(wěn)壓電路，在高壓輸出時(shí)功率損耗多半集中于NPN晶體管。若改采用充電幫浦型式之供電可省去輔助繞組且減少線性穩(wěn)壓供電之損耗，此法將增加一功率晶體開關(guān)于主開關(guān)之源極，然而，此方式若欲實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)得藉由次級(jí)Zener二極管偵測(cè)反饋回初級(jí)側(cè)達(dá)成過壓保護(hù)，產(chǎn)品設(shè)計(jì)者得恒量額外增加之成本與其帶來之效益。