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臺積電7納米SRAM打贏三星 要準(zhǔn)備5nm制程

作者: 時間:2015-12-08 來源:Technews 收藏

  與英特爾、三星的先進制程競賽依舊打得火熱,10納米以下制程成為半導(dǎo)體三雄間的競逐場,三星雖于11月中搶先發(fā)表10納米FinFET制程生產(chǎn)的SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器),看似搶先與三星,不過,3日透露,早已成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM,而且預(yù)告5納米也要來了!

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/284033.htm

  臺積電于3日舉辦第十五屆供應(yīng)鏈管理論壇,臺積電總經(jīng)理暨共同執(zhí)行長劉德音表示,庫存調(diào)整已近尾聲,2016有望恢復(fù)成長,臺積明年將比今年更好,與先前自家董事長張忠謀的說法一致,劉德音對臺積電先進制程進度也透露更多的訊息。

  在16納米制程,臺積電先前推出比FinFETPlus更低功耗的FFC制程,主打低階智慧手機與物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域,劉德音昨3日指出,目前已設(shè)計定案(tape-out)的有27個,估計2016年達到100個,16納米從原本高階市場主力,進一步拓展到中低階市場,劉德音預(yù)估16納米市佔的擴展,將成為明年營收優(yōu)于去年的重要動能。

  對于三星于11月中宣布已運用10納米FinFET生產(chǎn)出SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器),劉德音透露,臺積電已經(jīng)成功以7納米制程產(chǎn)出SRAM,10納米將在2016年初試產(chǎn)、7納米則有望于2017年第一季試產(chǎn),與今年9月臺積電技術(shù)長孫元成,參與美國圣塔克拉拉舉行的創(chuàng)新平臺論壇所言進度相同。

  據(jù)孫元成當(dāng)時說法,10納米在2016年底或2017年初將進入量產(chǎn)階段,若依此轉(zhuǎn)進進度,10納米階段臺積將有望超車英特爾,英特爾執(zhí)行長BrianKrzanich在今年第二季法說會上坦承,下世代(10納米)制程,大約到2017年下半才會推出。三星則在今年6月正式將10納米FinFET制程納入開發(fā)路圖(Roadmap),估計10納米在2016年底、2017年初全面投產(chǎn),與臺積電時間差不多。

  值得關(guān)注的是,劉德音在昨3日的論壇向供應(yīng)鏈伙伴預(yù)告,該開始準(zhǔn)備5納米了!雖未對相關(guān)時程多做說明,但也令外界相當(dāng)期待,然而在10納米以下制程微縮已經(jīng)來到光學(xué)微影解析的極限,臺積電年初透露在10納米制程有部分光罩將採用極紫外光(ExtremeUltraviolet,EUV)微影技術(shù)進行曝光,大摩3月份發(fā)表的報告也指出,EUV將是臺積電能否在10納米以下制程超車的關(guān)鍵。



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