瑞薩發(fā)布最快4千兆位AG-AND型閃存芯片
瑞薩科技公司宣布開發(fā)出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型閃存存儲(chǔ)器,可以提供世界上最快的10 M字節(jié)/秒編程速度,用于電影和類似應(yīng)用中的大容量數(shù)據(jù)的高速記錄。在2004年9月,將從日本開始樣品發(fā)貨,隨后在12月將開始批量生產(chǎn)。
R1FV04G13R和R1FV04G14R分別具有´8和´16位配置,可以提供下面的主要性能。
(1)世界上最快的4千兆位閃存存儲(chǔ)器(芯片)
作為實(shí)現(xiàn)了多級(jí)單元技術(shù)*2和高速度的第二階段AG-AND型閃存存儲(chǔ)器,R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下,也能達(dá)到10 M字節(jié)/秒的快速編程速度。復(fù)制一個(gè)2小時(shí)的MPEG-4格式的電影,大約需要2分鐘就可以完成錄制。
(2)小型芯片尺寸
由于使用90 nm工藝和改進(jìn)的AG-AND閃存存儲(chǔ)器單元設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了世界上最小的存儲(chǔ)單元。與1千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器相比,每千兆位的芯片面積大約縮小了三分之二。
這些新產(chǎn)品的發(fā)布使得電影和音樂等大容量?jī)?nèi)容的快速下載和傳送成為可能。相應(yīng)地,其應(yīng)用領(lǐng)域也從過去僅局限于數(shù)碼相機(jī)和個(gè)人計(jì)算機(jī),現(xiàn)在可以擴(kuò)展到移動(dòng)終端和數(shù)字家用設(shè)備,擴(kuò)大了使用閃存存儲(chǔ)器作為存儲(chǔ)介質(zhì)的系統(tǒng)解決方案的應(yīng)用范圍。
< 產(chǎn)品詳情 >
使用R1FV04G13R和R1FV04G14R,可以在單個(gè)芯片上配置512M字節(jié)的記錄介質(zhì),提供的存儲(chǔ)能力大約相當(dāng)于160分鐘的MPEG-4電影數(shù)據(jù),大約等同于130個(gè)磁道的MP3音樂數(shù)據(jù),或大約500張4兆象素的數(shù)碼相機(jī)相片。
R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性總結(jié)如下。
(1)世界上編程速度最快的4千兆位閃存存儲(chǔ)器(芯片),速度高達(dá)10 M字節(jié)/秒。
和1千兆位產(chǎn)品一樣,使用熱電子注入編程方法*3和在單個(gè)芯片內(nèi)同時(shí)進(jìn)行4組編程操作,通過使用多級(jí)單元技術(shù),實(shí)現(xiàn)了高達(dá)10 M字節(jié)/秒的編程速度。
(2)小型芯片尺寸
通過使用90 nm工藝和改進(jìn)的第一代AG-AND型閃存存儲(chǔ)器源-漏*4結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)了世界上最小的0.016 μm2存儲(chǔ)單元面積。
與1千兆位 AG-AND型閃存存儲(chǔ)器相比,每千兆位芯片面積大約縮小了三分之二。
* 源-漏結(jié)構(gòu)的改進(jìn):
使用了一種新結(jié)構(gòu),在AG上加電壓時(shí),硅襯底上形成的逆溫層*5構(gòu)成了存儲(chǔ)單元晶體管的源和漏。在常規(guī)的擴(kuò)散層*6結(jié)構(gòu)中,源和漏趨向于橫向擴(kuò)散,但是,由于逆溫層僅在AG下面的襯底的極淺區(qū)域形成,因此可以縮小存儲(chǔ)單元的面積。
(3)支持加電讀出功能(2K字節(jié)大小)
系統(tǒng)加電時(shí),不需要命令或地址輸入,通過控制兩個(gè)控制線(/CE 針和/RE針)就可以讀出多達(dá)2K字節(jié)的數(shù)據(jù)。
(4)在編程操作過程中具有高速緩沖存儲(chǔ)器編程功能,在擦除操作過程中,具有可編程數(shù)據(jù)輸入功能。
在器件編程過程中,可以對(duì)下一步2 K字節(jié)的數(shù)據(jù)進(jìn)行高速緩沖存儲(chǔ)器編程的功能,最多可以進(jìn)行兩次(4 K字節(jié))。這使得系統(tǒng)可以很容易地分配總線進(jìn)行下一個(gè)任務(wù)。
– 更多 –
在器件擦除過程中,可以進(jìn)行一次高達(dá)2 K字節(jié)的下一步數(shù)據(jù)輸入的功能。
(5)NAND接口
在命令級(jí),R1FV04G13R和R1FV04G14R與NAND型閃存存儲(chǔ)器兼容,因此,對(duì)目前使用NAND型閃存存儲(chǔ)器的系統(tǒng)進(jìn)行很少的軟件修改,就可以使用它們。
電源電壓是3.3 V,使用的封裝形式是48針TSOP 1型封裝,與1千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器的封裝尺寸相同。
未來的計(jì)劃包括為R1FV04G13R和R1FV04G14R開發(fā)控制器,面向高速閃存卡的應(yīng)用開發(fā),以及開發(fā)2千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器產(chǎn)品和使用新型存儲(chǔ)單元的1.8 V低壓產(chǎn)品。
我們也計(jì)劃開發(fā)具有兩個(gè)層迭4千兆位AG-AND型閃存存儲(chǔ)器的大容量8千兆位產(chǎn)品,使用新的封裝形式(WFLGA: 超細(xì)節(jié)距柵格陣列),在2004年12月將開始高密度安裝。
< 開發(fā)支持工具 >
從2004年10月起,可以購(gòu)買功能描述模型和C 語(yǔ)言參考庫(kù),作為使用這些閃存存儲(chǔ)器進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)的支持工具。
注釋:
1.AG-AND型閃存存儲(chǔ)器單元:使用場(chǎng)隔離方法的新型存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu),包括可以防止單元間干擾的交替輔助柵和浮動(dòng)?xùn)?。通過使用小溝道電流進(jìn)行熱電子注入,實(shí)現(xiàn)編程,與使用淺槽隔離的方法(通過形成開槽來隔離各個(gè)單元)相比,單元面積更小。
2.多級(jí)單元技術(shù):一種適用于高密度閃存存儲(chǔ)器的技術(shù),在縮小芯片尺寸方面卓有成效,它使用4個(gè)以上的值:比如00、 01、10和11,而通常的存儲(chǔ)器使用兩個(gè)值:0和1。使用4個(gè)值時(shí),一個(gè)單元可以完成兩個(gè)常規(guī)單元的工作。
3.熱電子注入編程方法:將經(jīng)過溝道電場(chǎng)加速的高能量“熱”電子注入到浮動(dòng)?xùn)诺囊环N編程方法。單元的編程時(shí)間是10 μs或更少,比常規(guī)的隧道編程方法快一個(gè)數(shù)量級(jí)。
4.源和漏:MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管的基本組成部分。通常通過離子注入的方法,在擴(kuò)散層形成源和漏。
5.逆溫層:對(duì)柵施加電壓時(shí),在硅襯底的極淺區(qū)域產(chǎn)生了一個(gè)高密度電子區(qū)域。用作MOS晶體管的溝道。
6.擴(kuò)散層:離子被注入硅襯底,通過對(duì)該區(qū)域施加電壓產(chǎn)生高密度電子。這是在MOS晶體管上形成源和漏的常用方法。
< 典型應(yīng)用 >
用作高端數(shù)碼相機(jī)和硅器件電影設(shè)備中的大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。
在使用高速接口如USB2.0的移動(dòng)終端中,作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)。
用于需要幾千兆字節(jié)存儲(chǔ)容量的硅器件音頻設(shè)備中。
硅器件便攜式閱讀器、數(shù)字電視廣播用圖像回放設(shè)備等。
評(píng)論