優(yōu)化高電壓應(yīng)用的電源開關(guān)

　　如今，高電壓小負(fù)荷被應(yīng)用到多種領(lǐng)域。無論是啟動(dòng)器、電動(dòng)機(jī)、螺線管或變壓器、電源或電源轉(zhuǎn)換電路，都在無休止地追求更好的能源效能、更佳的可靠性和更少的成本及封裝體積。對(duì)于此類負(fù)荷范圍的電源開關(guān)，這些技術(shù)上的要求似乎不外是“增強(qiáng)開關(guān)的功率密度！”，但在實(shí)際應(yīng)用中如何才能夠達(dá)到最佳效果呢？

　　在某種程度上，上述技術(shù)要求是自相矛盾的。例如，采用增加電源開關(guān)芯片體積的方法來增強(qiáng)效能，確實(shí)可以通過降低工作溫度來減少傳導(dǎo)損失及改進(jìn)可靠性，但是這樣做的代價(jià)卻是成本及組件體積的增加。

　　為了達(dá)到增強(qiáng)開關(guān)功率密度的技術(shù)要求，我們必須考慮供電裝置制造的方方面面，包括芯片和組件的設(shè)計(jì)與構(gòu)造。當(dāng)考慮高達(dá)500V的擊穿電壓應(yīng)用時(shí)，以下三種潛在技術(shù)可供我們選擇：BJT、MOSFET或IGBT。

IGBT

　　與常規(guī)技術(shù)相反，IGBT將雙極性和MOSFET物理特性相結(jié)合，創(chuàng)造用于較大型組件的高效能高功率裝置。問題是，額外發(fā)射極結(jié)增加至導(dǎo)通電壓的正向電壓，即使是在DPAK這樣的組件中，導(dǎo)通電壓仍然可超出1.8V，并且可能達(dá)到2.8V。熱電阻值可降至低于1