意法半導(dǎo)體（ST）在多片封裝內(nèi)組裝8顆裸片

    2005年4月4日存儲器和微控制器多片封裝技術(shù)應(yīng)用的領(lǐng)導(dǎo)者意法半導(dǎo)體日前宣布該公司已開發(fā)出能夠疊裝多達8顆存儲器芯片的高度僅為1.6mm的球柵陣列封裝(BGA)技術(shù)，這項封裝技術(shù)還可以將兩個存儲器芯片組裝在一個厚度僅為0.8mm的超薄細(xì)節(jié)距BGA封裝（UFBGA）內(nèi)，采用這項制造技術(shù)生產(chǎn)的器件可以滿足手機、數(shù)碼相機和PDA等體積較小的設(shè)備的存儲需求。
    ST的多片封裝（MCP）器件內(nèi)置通常是二到四顆不同類型的存儲芯片，如SRAM、閃存或DRAM，這些器件已經(jīng)廣泛用于空間很寶貴的手機產(chǎn)品中。因為芯片是直接堆疊組裝在封裝內(nèi)，所以器件占用的印刷電路板空間與單片器件相同；因為存儲芯片使用很多公用信號，如尋址和數(shù)據(jù)總線，所以封裝與電路板之間的連線數(shù)量與單片器件也基本相同。
    分立器件的使用允許在相同的占板面積內(nèi)配備不同類型的甚至采用不同制造工藝的存儲器，如NOR閃存和SRAM。其它可以組合的存儲器包括NAND閃存和DRAM或者NOR閃存+NAN閃存+SRAM。雙片封裝可以集成一個ASIC和NAND閃存或NOR閃存和SRAM。
    直到目前，能夠切實可行地采用多片封裝的芯片的數(shù)量還受到單個裸片厚度的限制，采用多片封裝的典型應(yīng)用是對器件總體積的要求與對電路板的要求相同，增加封裝高度是無法接受的。ST的新技術(shù)充分利用了只有40微米厚的超薄裸片的優(yōu)勢， 只有40微米厚的“中介層”支撐并隔離封裝內(nèi)的每顆裸片。
    八片MCP由八個有源存儲器芯片和七個中介層組成，而超薄的雙片UFBGA芯片只有一個中介層。利用BGA工藝處理只有正常圓晶厚度的四分之一的超薄晶片是一項重大的挑戰(zhàn)，此外，ST還利用新的技術(shù)將這些器件的絲焊回路的高度降低到近40微米，絲焊是從裸片到封裝焊盤的金絲連接，當(dāng)芯片間隔如此緊密時，裸片上的絲線回路的高度必須遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于正常高度。
    在一個超小封裝內(nèi)集成一個大容量存儲器的能力對于處理多媒體內(nèi)容的手機和先進的PDA和數(shù)碼相機特別實用，例如，采用八片堆疊封裝技術(shù)后，過去1兆位(1Gb)存儲器占用的電路板現(xiàn)在將能夠容納1兆字節(jié)（1GB）的存儲器。利用能夠內(nèi)置多個芯片的MCP技術(shù)，現(xiàn)有產(chǎn)品將在很多情況下提高存儲密度，而不會改變芯片占用電路板的面積。