英特爾宣布邁向無鉛處理器新時(shí)代

　　英特爾公司今天宣布，從其45納米高-k金屬柵極處理器全部產(chǎn)品系列開始，英特爾下一代的處理器將實(shí)現(xiàn)百分之百的無鉛化。英特爾45納米高-k產(chǎn)品系列包括下一代英特爾®酷睿™2雙核、英特爾®酷睿™2四核以及英特爾®至強(qiáng)®處理器。采用最新45納米高-k技術(shù)的處理器將于2007年下半年開始投產(chǎn)。

　　英特爾公司技術(shù)與制造事業(yè)部副總裁兼封裝測(cè)試技術(shù)發(fā)展總監(jiān)Nasser Grayeli指出：“從淘汰鉛的使用、致力于提高我們產(chǎn)品的能效，到降低空氣排放和提高水及其他材料的循環(huán)利用，英特爾正積極地朝著環(huán)境可持續(xù)發(fā)展的目標(biāo)邁進(jìn)?！?

    鉛被廣泛的使用在多種微電子產(chǎn)品的封裝（package）中，包括象連接英特爾芯片到封裝的凸焊點(diǎn)（bump）中都在使用鉛。封裝的作用是將硅芯片包裝起來，使封裝好的硅芯片可以最終連接到主板上。面向移動(dòng)計(jì)算、臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器等特定細(xì)分市場(chǎng)的處理器會(huì)采用不同類型的封裝。封裝設(shè)計(jì)類型包括針腳矩陣（pin grid array）、球狀矩陣（ball grid array）和板狀矩陣（land grid array）等，而在英特爾下一代45納米高-k技術(shù)中，這些封裝都會(huì)實(shí)現(xiàn)百分之百無鉛化。2008年，英特爾還將實(shí)現(xiàn)65納米芯片組產(chǎn)品的百分之百無鉛化。

　　英特爾的45納米處理器不僅無鉛，而且還會(huì)利用英特爾的高-k硅技術(shù)降低晶體管的漏電，使處理器的能效和性能都得到極大提升。英特爾公司的45納米高-k硅技術(shù)還包括了第三代應(yīng)變硅技術(shù)以改進(jìn)驅(qū)動(dòng)電流，同時(shí)利用低-k電介質(zhì)降低互連電容，從而在提高性能的同時(shí)降低功率。最終，英特爾45納米高-k處理器系列將能使臺(tái)式機(jī)、筆記本電腦、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備以及服務(wù)器設(shè)計(jì)變得更輕巧時(shí)尚，體積更小，能效更高。