CL 2.5水平低延遲DDR-2內(nèi)存芯片即將量產(chǎn)

    DDR-2內(nèi)存如我們預(yù)期地目前已開始調(diào)整售價(jià)并可在下半年取代DDR內(nèi)存在市場(chǎng)的主流位置，不過DDR-2內(nèi)存眾所周知目前主要的問題也在于其高延遲性（CL 4/5）設(shè)計(jì)而大大影響了產(chǎn)品性能。如在同級(jí)的DDR與DDR-2內(nèi)存對(duì)比當(dāng)中DDR的性能肯定要高于DDR-2，但DDR-2未來始終還是會(huì)得益于其高工作頻率設(shè)定可達(dá)成更高的內(nèi)存帶寬而將取代最高不過667MHz的DDR，無論如何DDR-2的高延遲特性如不能得到一定改良的話其性能表現(xiàn)始終是不能有太大的突破，而這個(gè)情況莫非要到DDR-3才能解決？

　　不過值得高興的是據(jù)Cool Tech Zone日前的報(bào)道，某大型內(nèi)存芯片廠商（三星？）目前正計(jì)劃推出低延遲的DDR-2內(nèi)存芯片，雖然目前據(jù)廠商方面的消息表示現(xiàn)在這些芯片最高還只能做到CL 2.5的水平（具體工作頻率未明），但對(duì)比起Corsair目前CL 3的DDR-2 533和OCZ CL 4的DDR-2 800來說還是有一定突破的（多數(shù)廠商的超頻DDR533內(nèi)存也只能運(yùn)行在CL 2.5下，DDR500或以下產(chǎn)品則可做到CL 2）。

　　略為遺憾的是CL 2.5的DDR-2內(nèi)存芯片目前未知可于何時(shí)投入量產(chǎn)，也未知采用這些內(nèi)存芯片的DDR-2內(nèi)存何時(shí)能夠投入市場(chǎng)，不過我們還是可以預(yù)期這會(huì)在一段不長的時(shí)間內(nèi)發(fā)生。。當(dāng)然類似的產(chǎn)品售價(jià)應(yīng)該也不會(huì)太低，但作為DDR-2過渡到DDR-3前的“性能”型產(chǎn)品，新芯片應(yīng)可為標(biāo)準(zhǔn)的DDR-2內(nèi)存帶來更高的性能，而更高頻率的超頻DDR-2內(nèi)存產(chǎn)品（DDR-2 1066/1333？）應(yīng)也可借此達(dá)成。