意法半導體(ST)與IBM合作開發(fā)芯片技術
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協議內容包括32納米和22納米互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術的開發(fā)、設計實施和針對300-mm晶圓制造特點調整的先進技術研究。此外,該協議還包括這兩家公司在技術開發(fā)領域居領先水平的核心bulk CMOS工藝和增值的衍生的系統級芯片(SoC)技術。根據該協議,ST和IBM將合作開發(fā)IP模塊和平臺,以加快采用這些技術的系統級芯片器件的設計速度。
作為本協議的一部分,協議雙方還將在對方公司內部成立一個技術開發(fā)小組。在紐約East Fishkill和Albany的IBM的半導體研發(fā)中心,ST將設立一個bulk CMOS技術研發(fā)小組。同時,在法國Crolles的意法半導體300mm芯片研發(fā)及制造中心,IBM將成立一個研發(fā)小組,兩家公司將合作開發(fā)各種增值的衍生技術,如嵌入式存儲器和模擬/RF器件。這些技術可廣泛用于消費電子、服務器市場和無線應用領域,如手機和全球定位系統。
意法半導體將加入一個由半導體制造商、開發(fā)商、技術公司為解決制造更小、更快、更低廉的半導體產品所需的設計復雜性和先進工藝開發(fā)而成立的技術聯盟。在這個由6家公司組成的IBM CMOS技術聯盟內,每個成員公司都享有優(yōu)先使用技術、參與技術定義、使用合作研發(fā)資源解決問題以及共用一個合作制造基地的權利。
同樣地,IBM和ST將擴大ST在法國的300mm晶圓制造廠的開發(fā)網絡,接納IBM技術聯盟中對開發(fā)增值衍生系統級芯片技術感興趣的其它成員。
通過參加成員之間資源共享的開放式生態(tài)系統,技術聯盟公司認識到通過整合研發(fā)力量和知識產權技術可以提高創(chuàng)新速度,降低相關成本。隨著聯盟不斷擴大,為了解決以更快的速度、更低廉的價格設計、制造更好的半導體產品的嚴峻挑戰(zhàn),更多的成員為此投入了更大的資源,從而使合作關系的好處日益突出。
“ST做出了一項重要的戰(zhàn)略決定:利用公司在面向系統技術領域積累的知識,集中公司的研發(fā)資源開發(fā)增值的衍生技術,” 意法半導體主管前工序技術及制造活動的執(zhí)行副總裁Laurent Bosson表示,“考慮到IBM在開發(fā)先進半導體技術方面取得的不凡業(yè)績,我們相信這個合作項目將會給雙方帶來克服這些技術挑戰(zhàn)所需的專業(yè)知識和技術解決方案,并確保雙方具有競爭力的產品的上市時間?!?
“意法半導體加盟IBM技術聯盟,使我們進一步增強了解決半導體工業(yè)開發(fā)先進技術過程中固有的技術和經濟問題的能力,”IBM主管研發(fā)的高級副總裁John E. Kelly III表示,“我們與ST的技術共享和開發(fā)合作將有助于提高制造工藝的開發(fā)實力,同時還能給客戶帶來更短的產品上市時間和更大技術好處?!?
雙方合作開發(fā)的制造工藝將在ST的300mm晶圓制造廠(法國Crolles)投入量產,同時也在這個合作平臺的制造商的300mm設施內批量生產,其中包括IBM。
考慮到更長遠的合作前景,利用CEA-LETI公共研究所與ST建立的歷史悠久的成功的合作關系,IBM、CEA-LETI (法國格勒諾布爾)和ST計劃在未來的技術節(jié)點上展開合作。
關于這項合作的財務細節(jié)沒有披露。
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