日立與瑞薩開發(fā)1.5V相變存儲模塊

日立有限公司與瑞薩科技（Renesas）宣布，為了滿足新一代高密度片上非易失性存儲技術(shù)的需求，雙方共同開發(fā)出了運行于1.5V電源電壓的512KB（相當(dāng)于4Mb）相變存儲模塊，該器件能夠?qū)崿F(xiàn)416KB/s的寫入速度和20ns的讀取時間。利用以前開發(fā)的100μA（Micro[注1]安培）寫入操作電流的“低功耗相變存儲單元”，兩家公司在新模塊中開發(fā)了一種可以實現(xiàn)高速讀寫操作的外設(shè)電路技術(shù)。 

    日立和瑞薩以前開發(fā)過一種低功耗操作相變存儲器，它在界面層使用了五氧化鉭，可以利用1.5V電源電壓和100μA電流進(jìn)行寫操作。與傳統(tǒng)的片上非易失性存儲器相比，這種存儲器可以降低寫電壓，在芯片內(nèi)無需使用產(chǎn)生高壓的電源電路，從而有助于減小模塊尺寸，并實現(xiàn)更高的密度。不過，由于讀取電流很小，存儲器陣列電路技術(shù)非常關(guān)鍵，這樣才能保證在小電流條件下實現(xiàn)高速運行。 

    新開發(fā)的電路技術(shù)具有以下特性： 
（1）寫電路技術(shù)有助于利用小電流實現(xiàn)高速寫入 
 a.兩步電流控制的數(shù)據(jù)寫入方法 
    高速寫入是利用控制兩步寫入過程中流經(jīng)相變薄膜的電流來實現(xiàn)的，首先是100μA的電流，然后是低于100μA的電流，以有效地產(chǎn)生焦耳熱量。 

b.串寫方法 
    通常，存儲器的寫入是多位同時執(zhí)行的。由于寫入所需的電流為：單元寫電流