臺(tái)積電宣布進(jìn)行新一代高階互補(bǔ)傳感器制造

　　臺(tái)積電8日宣布，與美商伊士曼柯達(dá)(Eastman Kodak)簽訂技術(shù)專利授權(quán)合約，取得后者提供的四個(gè)晶體管像點(diǎn)架構(gòu)(4T transistor pixel)及鉸接光電二極管像點(diǎn)架構(gòu)(Pinned photo-diode pixel)等技術(shù)專利，進(jìn)行新一代高階互補(bǔ)金屬氧化半導(dǎo)體影像傳感器(CMOS Image Sensor, CIS)的制造。 　 

　　臺(tái)積電表示，其去年為全球客戶生產(chǎn)制造的CIS組件數(shù)量，占去年全球CIS總產(chǎn)量的第一位。與伊士曼柯達(dá)公司的技術(shù)專利授權(quán)，可確保所有臺(tái)積CIS客戶在進(jìn)行新一世代CIS芯片制造時(shí)，擁有最具競(jìng)爭(zhēng)力的平臺(tái)，以因應(yīng)數(shù)字相機(jī)及照相手機(jī)等消費(fèi)型產(chǎn)品的市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，并可強(qiáng)化臺(tái)積公司于此領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。 　 

　　臺(tái)積電表示，伊士曼柯達(dá)希望借著授權(quán)其CIS技術(shù)，進(jìn)一步拓展CIS產(chǎn)品的應(yīng)用并加速CIS組件的商業(yè)化步伐。根據(jù)此項(xiàng)合約，伊士曼柯達(dá)公司授權(quán)臺(tái)積公司使用其4T 像點(diǎn)架構(gòu)及鉸接光電二極管像點(diǎn)架構(gòu)等關(guān)鍵的CIS技術(shù)專利。這些技術(shù)可提升CIS的影像品質(zhì)、效能及分辨率，使其品質(zhì)可以與最小尺寸光電荷耦合影像感測(cè)組件(Charge-coupled Device, CCD)媲美。