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單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)斷電時(shí)的數(shù)據(jù)保護(hù)方法

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作者:蘇明強(qiáng) 鄺濤 時(shí)間:2007-11-21 來源:中電網(wǎng) 收藏
       在測(cè)量、控制等領(lǐng)域的應(yīng)用中,常要求內(nèi)部和外部RAM中的數(shù)據(jù)在電源掉電時(shí)不丟失,重新加電時(shí),RAM中的數(shù)據(jù)能夠保存完好,這就要求對(duì)系統(tǒng)加接掉電保護(hù)電路。

       掉電保護(hù)通常可采用以下三種方法:一是加接不間源,讓整個(gè)系統(tǒng)在掉電時(shí)繼續(xù)工作,二是采用備份電源,掉電后保護(hù)系統(tǒng)中全部或部分?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容;三是采用EEPROM來保存數(shù)據(jù)。由于第一種方法體積大、成本高,對(duì)系統(tǒng)來說,不宜采用。第二種方法是根據(jù)實(shí)際需要,掉電時(shí)保存一些必要的數(shù)據(jù),使系統(tǒng)在電源恢復(fù)后,能夠繼續(xù)執(zhí)行程序,因而經(jīng)濟(jì)實(shí)用,故大量采用[1]。EEPROM既具有ROM掉電不丟失數(shù)據(jù)的特點(diǎn),又有RAM隨機(jī)讀寫的特點(diǎn)。但由于其讀寫速度與讀寫次數(shù)的限制,使得EEPROM不能完全代替RAM。下面將介紹最常用的一些掉電保護(hù)的處理方法,希望能對(duì)相關(guān)設(shè)計(jì)人員在實(shí)際工作中有所幫助。  

       1 簡(jiǎn)單的RAM數(shù)據(jù)掉電保護(hù)電路  

  在具有掉電保護(hù)功能的單片機(jī)系統(tǒng)中,一般采用CMOS單片機(jī)和CMOS RAM。CMOS型RAM存儲(chǔ)器靜態(tài)電源小,在正常工作狀態(tài)下一般由電源向片外RAM供電,而在狀態(tài)下由小型蓄電池向片外RAM供電,以保存有用數(shù)據(jù),采用這種方法保存數(shù)據(jù),時(shí)間一般在3-5個(gè)月[2]。然而,系統(tǒng)在上電及過程中,總線狀態(tài)的不確定性往往導(dǎo)致RAM內(nèi)某些數(shù)據(jù)的變化,即數(shù)據(jù)受到?jīng)_失。因此對(duì)于斷電保護(hù)數(shù)據(jù)用的RAM存儲(chǔ)器,除了配置供電切換電路外,還要采取數(shù)據(jù)防沖失措施,當(dāng)電源突然斷電時(shí),電壓下降有個(gè)過程,CPU在此過程中會(huì)失控,可能會(huì)誤發(fā)出寫信而沖失RAM中的數(shù)據(jù),僅有電池是不能有效完成的,還需要對(duì)片選信號(hào)加以控制,保證整個(gè)切換過程中CS引腳的信號(hào)一直保持接近VCC。通常,采用在RAM的CS和VCC引腳之間接一個(gè)電阻來實(shí)現(xiàn)COMS RAM的電源切換,然而,如果在掉電時(shí),譯碼器的輸出出現(xiàn)低電平,就可能出現(xiàn)問題,圖1給出一種簡(jiǎn)單的電路設(shè)計(jì),它能夠避免上述問題的產(chǎn)生。  

  圖1中,4060開關(guān)電路起到對(duì)CS控制的作用。當(dāng)電壓小于等于4.5V時(shí)就使開關(guān)斷開,CS線上拉至"1",這樣,RAM中的數(shù)據(jù)就不會(huì)沖失;當(dāng)電壓大于4.5V時(shí),4060開關(guān)接通,使RAM能正常進(jìn)行讀寫。

        2 可靠的RAM掉電保護(hù)電路  

  上述的電路雖然簡(jiǎn)單,但有時(shí)可能起不到RAM掉電保護(hù)的作用,原因是在電源掉電和重新加電的過程中,電源電壓躍變的干擾可能使RAM瞬間處于讀寫狀態(tài),使原來RAM中的數(shù)據(jù)遭到破壞,因此,在掉電剛剛開始以及重新加電直到電源電壓保持穩(wěn)定下來之前,RAM應(yīng)處于數(shù)據(jù)保持狀態(tài),6264 RAM、5101 RAM等RAM芯片上都有一個(gè)CE2引腳,在一般情況下需將此引腳拉高,當(dāng)把該引腳拉至小于或等于0.2V時(shí),RAM就進(jìn)入數(shù)據(jù)保持狀態(tài)。  

  實(shí)用的靜態(tài)RAM掉電保護(hù)電路如圖2所示,圖2中U1、U2為電壓比較器,穩(wěn)壓管D3提供一個(gè)基準(zhǔn)電壓Vr(Vr=3.5V)。當(dāng)Vcc為5V時(shí),在R4上得到的分壓大于Vr,U2輸出高電平,又因?yàn)閁4輸出也為高電平,故CE2輸出為高電位,單片機(jī)此時(shí)可對(duì)RAM進(jìn)行存取,當(dāng)電源掉電時(shí),Vcc開始下降,當(dāng)滿足如下條件時(shí):  

       R4


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