復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心將贊助最佳研究生論文競(jìng)賽

　　諾發(fā)系統(tǒng)有限公司宣布舉辦第一屆復(fù)旦-諾發(fā)國(guó)際銅互連技術(shù)研討會(huì)最佳研究生論文競(jìng)賽。

　　由復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心贊助的最佳研究生論文競(jìng)賽將在復(fù)旦-諾發(fā)國(guó)際銅互連技術(shù)研討會(huì)期間舉行，此項(xiàng)每年春季舉行的競(jìng)賽將為在校研究生、研究人員以及全球半導(dǎo)體專業(yè)人士提供一個(gè)討論新型的、令人振奮的半導(dǎo)體制造技術(shù)的平臺(tái)。同時(shí)，此次競(jìng)賽也標(biāo)志著該研討會(huì)將進(jìn)入第五屆。

　　入選文章作者將獲得相應(yīng)獎(jiǎng)勵(lì)：獎(jiǎng)項(xiàng)共設(shè)金獎(jiǎng)一名、銀獎(jiǎng)兩名、銅獎(jiǎng)三名。

　　復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心此次舉辦的2008 年研討會(huì)最佳研究生論文競(jìng)賽的參賽領(lǐng)域包括：

　　• 半導(dǎo)體制造和互連工藝中的新技術(shù);

　　• Cu/Low k 集成技術(shù);

　　• 面向45nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的PVD/CVD/ALD擴(kuò)散阻擋層和銅籽晶層;

　　• CMP材料和制造技術(shù);

　　• 干法工藝(溝槽結(jié)構(gòu)和雙鑲嵌工藝，干法刻蝕工藝，等離子體造成的損傷，等)

　　• 先進(jìn)介質(zhì)材料(低介電常數(shù)介質(zhì)，高介電常數(shù)介質(zhì)，抗反射薄膜等)以及薄膜淀積工藝進(jìn)展;

　　• 先進(jìn)電鍍技術(shù);

　　• 金屬化的可靠性研究;

　　• 先進(jìn)圖像轉(zhuǎn)移技術(shù)。

　　諾發(fā)公司同中國(guó)大學(xué)的合作及其對(duì)中國(guó)微電子學(xué)教育的支持可以回溯至 2003 年，就在這一年，諾發(fā)公司向復(fù)旦大學(xué)捐贈(zèng)了一套銅半導(dǎo)體制造設(shè)備，并且建立了復(fù)旦-諾發(fā)互連研究中心進(jìn)行互連技術(shù)的研究。除研究和教學(xué)以外，從2004年起，該中心還成功地在復(fù)旦大學(xué)舉辦每年一次的復(fù)旦-諾發(fā)國(guó)際銅互連技術(shù)研討會(huì)。

　　關(guān)于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院

　　于2002年成立于復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院 (SME)是復(fù)旦大學(xué)歷史悠久的微電子學(xué)專業(yè)和固態(tài)電子學(xué)專業(yè)的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合。復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)在過(guò)去的二十年中取得了巨大的進(jìn)步，并于 1988 年成為國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科。1992 年，該學(xué)科建立起了 ASIC & System 國(guó)家重點(diǎn)試驗(yàn)室。自組建以來(lái)，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院已經(jīng)取得了諸多成就，并發(fā)展成為一所優(yōu)秀的教育和研究機(jī)構(gòu)，在很多領(lǐng)域都擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)，例如：SoC 設(shè)計(jì)、IC CAD、新型半導(dǎo)體制造技術(shù)、結(jié)構(gòu)和器件以及微電子機(jī)械系統(tǒng)。