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功率MOSFET的保護(hù)

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作者：時(shí)間：2007-12-13 來(lái)源：電子元器件網(wǎng)

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　　功率MOSFET的薄弱之處是柵極絕緣層易被擊穿損壞，柵源間電壓不得超過(guò)

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